09级实验材料学院.docVIP

材料学院实验 指导用书 2012年8月30日 实验一、LD/LED光源特性实验 实验目的 1、通过测量LD半导体激光器域值电流、LED发光二极管和LD半导体激光器的输出功率－电流（P-I）特性曲线和电压－电流（V-I）特性曲线，计算阈值电流（Ith）。从而对LED发光二极管和LD半导体激光器工作特性有个基本了解。 2、了解温度（T）对阈值电流（Ith）和光功率（P）的影响。 实验原理 1、LD工作原理 从激光物理学中我们知道，半导体激光器的粒子数反转分布是指载流子的反转分布。正常条件下，电子总是从低能态的价带填充起，填满价带后才能填充到高能态的导带；而空穴则相反。如果我们用电注入等方法，使 p-n结附近区域形成大量的非平衡载流子，即在小于复合寿命的时间内，电子在导带，空穴在价带分别达到平衡，如图1所示，那么在此注入区内，这些简并化分布的导带电子和价带空穴就处于相对反转分布，称之为载流子反转分布。注入区称为载流子分布反转区或作用区。 结型半导体激光器通常用与 p-n结平面相垂直的一对相互平行的自然解理面构成平面腔。在结型半导体激光器的作用区内，开始时导带中的电子自发地跃迁到价带和空穴复合，产生相位、方向并不相同的光子。大部分光子一旦产生便穿出 p-n结区，但也有一部分光子在 p-n结区平面内穿行，并行进相当长的距离，因而它们