第1章常用半导体器件14-15-2讲解.ppt

1、晶体管内部载流子的运动 IB IC IE VBB RB VCC RC N P N 发射区向基区扩散电子 电源负极向发射区补充电子形成发射极电流IE 电子在基区的扩散与复合 集电区收集电子 电子流向电源正极形成IC EB正极拉走电子，补充被复合的空穴，形成IB 由上所述可知: 1 由于基区很薄且掺杂浓度小,电子在基区扩散的数量远远大于复合的数量。即： IC IB 或 △IC △IB  当基极电路由于外加电压或电阻改变而引起IB的微小变化时，必定使IC发生较大的变化。即三极管的基极电流对集电极电流具有控制作用。 复合与扩散到集电区的电子数目满足统计学规律 直流放大倍数 交流放大倍数 两者之间的关系 2、晶体管的共射电流放大系数 1.输入特性曲线 IB f UBE UC E 常数 UCE≥1V UBE /V IB/ μA O 材料不同，死区电压不同 1.3.3 晶体管的共射特性曲线 IE IB RB UBB IC UCC 输入电路 输出电路 RC B C E O 2. 输出特性曲线 IC g UCE | IB 常数 IB 减小 IB增加 UCE IC IB 20μA IB 60μA IB 40μA IE IB RB UBB IC UCC 输入电路 输出电路 RC B C E O UCE IC IB 20μA IB 60