SIHCL3杂质分析中痕量杂质的分析.doc

在痕量和超痕量分析中，试剂的纯度也是重要因素之一，比如分析SHCl3中B含量时，精馏SHCl3中B含量一般小于1PPb,所用试剂甘露醇??氢氟酸??水??三苯基氯代甲烷等，，虽说用量不算大，但如它们在用量之内所含杂质元素B的总含量超过1PPb的三分之一到二分之一，再加上空气 容器??操作过程中带来的沾污，空白值就会远远超过式样中的B的含量，分析结果就比真值高出几倍，这样就达不到准确的结果多晶质量检验抽样范围：生产中沉积的多晶硅被测性能：外观及断面检查型号、电阻率、氧、碳含量，重金属杂质含量1〕：基磷电阻率和寿命：取300毫米长的多晶棒段H2气氛下区熔一次检测次数：￠≤40毫米硅棒：全检回收料不定期抽样检验仪器：区熔炉，探针电阻率测试仪，数载流子寿命测试仪2〕基硼电阻率：从试验棒上取￠150×200 毫米，磷硼检验炉 次数：批量的20％ 检验仪器：区熔炉，探针电阻率测试仪，3〕氧、碳含量—从多晶硅棒上取片检测次数：按要求抽查检验仪器：室温红外分光光度计4〕重金属杂质：硅芯表面金属杂质的含量，电感耦合等离子体质谱仪 次数：每年不小于45次5〕断面腐蚀：肉眼检测几何形状和表面状况 次数：100％〈二〉工艺技术规范 1：主要原辅材料 1〕纯SHCl3：Fe≤ 10ppb??B≤??0.03ppb?? ≤ 0.1ppb? ?Al≤??10ppb 纯H2露点 　≤ -50? ? O2≤??5ppm 2〕硅芯：直径￠7-8mm有效长度：2.800米N型：电阻率50～250欧姆弯曲度：≤3/10003〕：N2气：含N2 ≥ 99.99％，氧 ≤5PPm 露点：≤-504〕：纯水：电阻率 10≥欧姆Al≤ 4ppm? ?Cu≤ 0.8ppb??Ca≤ 4ppb? ?B≤ 0.3ppb P≤ 0.5ppb 5〕石墨：光谱纯，调密质，内部结构均匀，无空洞，灰分≤ 0.01％，比电阻≤20欧姆 抗压强度≥900kg/cm2，假比重≥1.8g/m3 硬度45-80Kg/m2,加工成型后，经水浸泡，纯水煮至中性，干燥，高温煅烧后备用