半导体93622研究报告.docxVIP

半導体[目的]半導体の電気伝導メカニズムを学ぶ。また、ホール効果を用いた実験により、キャリアの種類の判定、キャリア密度、移動度及び電気特性測定への応用を学ぶ。また、キャリアの発生原理及び散乱メカニズムについて考察する。[原理]ホール効果半導体に電場と磁場を加えると、半導体中のキャリアにローレンツ力が働く。図１の板状の半導体試料に電圧を加えると、半導体中に電場が発生し電流Iが流れる。更に磁場Bを印加すると、電場が発生する。その電場は電流密度Jとホール係数Rを用いるととなる。また、磁場方向の厚さをd電場方向の厚さをw電流の大きさをIとすると、I及びホール電圧はで与えられる。電流のキャリアが電子と正孔の２種類である場合、ホール係数はとなる。ここで、eは電子電荷の絶対値、n,pはそれぞれの電子と正孔の密度、はそれぞれ電子、正孔の移動度である。キャリアが正孔の場合　　　　　　（b）キャリアが電子の場合図１ホール効果の原理キャリアの発生不純物密度が制御された半導体として、高純度な真性半導体、ドナー性不純物を添加したｎ型半導体、またアクセプタ性不純物を添加したｐ型半導体に分類される。真性半導体は絶対零度では絶縁体となる。しかし温度を上げると熱エネルギーによって価電子帯から伝導帯への電子の励起が起こる。その時、それぞれの帯には自由正孔と自由電子がキャリアとして発生する。このような温度領域と呼ぶ。不