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OVP简介
当VCC大于24.45V，OVP输出跳变为低，当VCC低于24.44V，OVP跳变为高。
直流扫描：
VCC高于24.45V，OVP输出跳变为低。
温度扫描：
仿真方法：VCC加vpwl：从0到1ms，VCC从0上升到30V。温度从－55到125deg，间隔30deg。
VCC高于24.5V左右，比较器输出跳变为低。温度变化见上图。温度－55到65期间，输出基本重合。最大变化范围2us。
温度 -55deg +27deg +125deg 翻转电压（VCC） 24.47V 24.47 24.51V 输出电压 930uV 920uV 918uV
OVP中的比较器电路：
VCC信号经过分压加载在D33上，与C50（2.44V）比较，经过NMOS电流镜负载转换成输出，反相器提高了带负载能力。
对D33vin进行直流扫描，从0到5V，检测输出电压，结果如下：
动态保护模块：
芯片提供了动态保护电路，当反馈电压FB过高（2.75V）或者过低（0.45V）时，即PFC输出电压高于440V，低于72V时，通过两个比较器直接控制RS触发器将芯片关断。
2.75V比较器：
直流扫描：条件：vdd＝5.33V，C43＝2.75V，T＝27deg。扫描A1从0到5V。
0.45V比较器：
工作原理：这是一个典型的折叠共源共栅结构，输入电压经过PMOS差分输入对管转换成电流信号，再由NMOS共源共栅级与PMOS电流镜转换为输出电压，经过两级反相器输出。采用折叠共源共栅结构的优点是：提高了电路的输出阻抗，提供高的电压增益，另外，还可以使输入共模电平接近电源供给的一端电压，即采用PMOS为输入对能使输入共模电平低到0V。
器件选择：输入PMOS差分对管采用高压管模型hvap，以防止输入信号A1（与FB信号相连）产生高的尖峰电压。两级反相器增加了带负载能力，稳定输出信号。
直流扫描：条件：vdd＝5.33V，C15＝0.45V，T＝27deg。扫描A1从0到5V。
随着A1的上升，右边的PMOS输入管渐渐关断，其对应的共源NMOS管从饱和进入线性区，流经共源共栅结构的电流先上升（饱和区）后下降（线性区，转折点为A1＝0.45V）；右边的PMOS输入管关断，尾电流提供的11.6uA电流全部流入左边的PMOS输入管，导致左边对应的共源共栅结构中没有电流流入共栅管，通过PMOS电流镜像作用，使得右边的共源共栅结构中也没有电流流过，导致输入电压下降。
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