SiC陶瓷基的扩散焊.docVIP

用三元碳化物Ti3SiC连接SiC陶瓷基材料 （Hongying Donga,b, Shujie Li b, Yingyue Tengb, Wen Mac, a 化工学院，内蒙古科技大学，呼和浩特，中国； b 材料科学与工学院，北京航空航天大学，北京； c 材料科学与工程学院，内蒙古科技大学，呼和浩特，中国； ） orozumi等人[11]使用Ti箔作为填料通过扩散连接压力烧结SiC，达到100MPa的4点弯曲强度，他们提出高的连接强度被归结于在Ti箔上形成了TiSiC2层，它与SiC具有良好的晶格匹配， 0001 SiC// 0001 Ti3SiC2， 11-10 SiC// 11-10 Ti3SiC2。最高的连接强度被Naka等人获得，当他们使用Ti箔在1773K扩散连接SiC与SiC1h时[12]。他们推断当Ti箔作为填料时，Ti3SiC2和TiSi2对于获得高的接头强度是有益的。然而，迄今为止我们知道，很少的研究使用Ti3SiC2作为填料连接SiC陶瓷基材料。本文涉及使用Ti3SiC2粉末作为填料直接连接SiC陶瓷棒和Cf/SiC复合材料棒。 2．试验程序 预合成Ti3SiC2粉末[13]被用作填料。少量的TiC（约10%）在粉末中被发现。商用压力烧结SiC，带有密度3.08g/cm3和弯曲强度380MPa，2D-Cf/SiC复合材料用CVI制造，密度2.05g/cm3，各向异性弯曲强度（平行于纤维延伸方向是40MPa，垂直于纤维延伸方向是400MPa）被用作连接材料。图1显示了Cf/SiC的示意图。SiC陶瓷和Cf/SiC复合材料被加工成圆棒，尺寸为?10mm×25mm。棒的被连接表面用金刚石糊抛光，并在乙醇中超声波清洁30min。 SiC陶瓷基材料棒、填料和另一个SiC陶瓷基材料棒被放进石墨模具中成三明治，见图2a。Cf/SiC复合材料的连接表面的方向是平行于纤维延伸的方向。连接过程是在氩气中加热到1200-1600℃，然后在20-40MPa下保温30min。 接头的弯曲强度（称为接头强度）通过三点弯曲试验测量。接头弯曲强度试验的示意图显示于图2b。在Cf/SiC接头上弯曲压力的方向平行于纤维延伸方向。….。Ti3SiC2粉末和Ti3SiC2与SiC混合粉末的相转变温度通过DSC在氩气中测量。 3．结果与讨论 3.1 SiC和Cf/SiC接头断裂表面的相和微观组织分析 通过XRD分析了SiC在不同温度保温30min接头断裂表面的相构成。衍射花样始于图3，与预合成Ti3SiC2在25℃的衍射花样一起。图中显示在1200℃断裂表面的主要相是Ti3SiC2和TiC，与预烧结Ti3SiC2粉末主要相相同。对于这两个花样对应衍射峰之间衍射强度的差异，被归结为在1200℃以上温度连接时，在外加压力下，在富碳的环境下形成的结构[14]。图4显示了结合成整体的SiC/SiC接头的图像。显著的Ti3SiC2的优先取向显示在图5中，在1300℃连接30min接头的断裂表面。此外，在图3中还可以看见在1300-1600℃的温度范围，接头断裂表面的主要相是Ti3SiC2、TiC和TiSi2。应该注意到，在1400-1600℃温度范围SiC衍射峰的出现部分是由于基体材料，即SiC陶瓷，没有完全由分析的断裂表面去除，部分是由于断裂路径在填料/SiC界面传播。TiSi2的形成显示在连接过程中发生了化学反应。此外，Ti3SiC2的衍射强度随着连接温度的提高而降低，并在1600℃的连接温度变得最弱，表明Ti3SiC2在1600℃ 的含量少，同时，产生的化学反应更充分。 SiC陶瓷连接时影响化学反应的因素主要是连接温度、石墨模具、和连接压力。图6显示了预合成Ti3SiC2粉末好Ti3SiC2+SiC混合粉末（50::50wt%）的DSC曲线。在由室温到1400℃的温度范围内，在两个DSC曲线中既没有吸热也没有放热峰，暗示直到1400℃都没产生化学反应。类似的结果也被Recault等人报道[15]。然而，当使用Ti3SiC2作为填料连接SiC陶瓷时，在约1300℃连接时TiSi2作为新相被发现（图3），表明连接时产生了化学反应。不同结果的可能原因是DSC测量采用了不同的设备和不同的环境，和连接过程对比。与DSC测量比较，石墨模具和高的压力在实际连接过程被应用。Gao等人[8]报道了Ti3SiC2倾向于在N2、O2或C气氛中在1350℃分解。EI-Raghy和Barsoum[16]认为Ti3SiC2在富石墨气氛中的化学反应导致形成TiCx（其中x 0.8）。Emmerlich等人[17]和Park等人[18]还发现，Ti3SiC2将分解成TiCx（X~0.67），伴随着Si向外扩散和蒸发，在进一步热处理后。可能的反应如下[18]： Ti3SiC2→Si