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AA 2099-T83铝锂合金局部腐蚀中晶粒取向的作用 结论：1 AA 2099-t83合金的局部腐蚀是典型以晶粒/亚晶界和单个晶粒内部的局部腐蚀，并且与局部溶解的相T1在晶粒/亚晶界和单个晶粒内部的沉淀相关。2 施密特因子直接指示AA 2099-t83合金的晶粒/亚晶界的腐蚀敏感性，具有较大施密特因子的晶粒容易发生局部腐蚀。3 在进行冷拉伸时，具有较大施密特因子的晶粒比其他晶粒具有更大的塑形变形并提前人工老化。在较高施密特因子的晶粒内部会有高的位错密度，这会引起人工老化后T1相的密度或体积分数。在腐蚀环境中，T1相的高电化学活性会引起具有高施密特因子的晶粒局部腐蚀的发展。 AA 2099-T83合金浸没在3.5%NaCl溶液中的腐蚀机理研究。研究发现具有较大施密特因子的晶粒更易发生局部腐蚀。局部腐蚀与T1相（Al2CuLi）有关，T1相优先沉淀在晶粒/亚晶界和晶粒内部的位错中。提出一个模型用来解释合金内局部腐蚀的发展，这个模型考虑冷加工过程中的非均匀塑形变形和T1相在变形晶粒的晶粒缺陷处优先析出。 1介绍 铝锂合金具有高比强度和高比模量的特点，这些特点为飞机减轻重量和CO2排放量提供了一个机会。由于锂具有异常的反应特性，向铝合金中添加锂构成铝锂合金，科学家对铝锂合金的耐腐蚀性产生了很多的兴趣。第一代铝锂合金的腐蚀数据非常有限，但是有很多第二和第三代铝锂合金的腐蚀数据。Kumai等人提出商用AA2090-T83E51合金的晶间腐蚀与贫铜区的溶解有关，贫铜区是由于富铜相的局部沉降形成的，贫铜区与晶粒晶界相邻。Buchheit指出AA2090合金浸没在3.5%NaCl溶液中的两种点蚀，即亚晶界点蚀和构成粒子点蚀。亚晶界点蚀主要由于T1相在亚晶界的局部溶解引起的，构成粒子点蚀主要由于粒子周围的外围腐蚀和沿亚晶界周围的腐蚀传递。T1相在合金局部腐蚀中的作用会在合成体T1金属化合物的基础上进一步探究。对于第三代铝锂合金AA2050和AA2090的研究也表明增加T1相在晶粒/亚晶界的沉淀会引起这些合金局部腐蚀的敏感性。 最近，观察到合金AA2090-T83浸没在3.5%NaCl溶液的两种形式局部腐蚀。第一种形式的局部腐蚀与成分粒子及其周围的腐蚀相关它在合金中的分布与成分粒子的分布一致。另一种形式的局部腐蚀的特点是腐蚀部位的腐蚀产物环和氢气析出，以及晶粒/亚晶界和特殊粒子的局部腐蚀。如今，对于第二种形式的局部腐蚀机理仍然没有全面的解释。Boag报道了在合金AA2024-T3相似的腐蚀现象，他们发现合金AA2024-T3这种局部腐蚀现象与具有相反电化学活性的金属粒子聚类相关。然而最近对合金AA2099-T83的研究表明在第二类局部腐蚀中：既没有类聚的金属粒子，也没有单个成分粒子。Guerin等人的研究合金AA2050-T83表明当暴露于电解质时具有111晶面的晶粒更易于腐蚀。作者将暴露于电解质情况下这种晶面的腐蚀敏感性与其他晶面对比，这种晶面的电位更负。然而，它看似很难解释合金表面下方晶粒的局部腐蚀和合金AA2099-T83中腐蚀晶粒的网状或者平行线状腐蚀路线。 因此，本文研究合金AA2099-T83第二种局部腐蚀的起因。为了加速腐蚀过程，模拟海水（3.5%NaCl溶液）作为腐蚀介质。结果发现具有相对较大的施密特因子的晶粒更易发生局部腐蚀，而且还和局部溶解的T1相以及晶粒内部的位错相关，T1相会在晶粒/亚晶界析出。根据调查结果和合金的热机械历史，研究合金AA2099-T83浸没在3.5%NaCl溶液中的局部腐蚀机理。 2试验 三种类型的腐蚀试验进行。传统的沉浸试验进行了一个250毫升的玻璃烧杯盛装150毫升3.5重量%的NaCl溶液在室温下（15～20?C）5小时，在这样的条件下，观察到典型的局部腐蚀。另一个抛光试样极化从?0.767至0.824 V（SCE）在0.5 mV/s采用Solartron 1287恒电位扫描速率。细胞的几何形状是相同的，用于浸渍测试。在这样的条件下，局部腐蚀下的暴露的表面进行了观察。在暴露的表面下的腐蚀攻击是很重要的，因为样品的表面条件的影响可以减少。另外，15 nm的标称厚度合金片从抛光的试样用超薄切片和左在金刚石刀水浴产生（填充去离子水）10分钟。在这样的条件下，局部腐蚀，在其早期阶段的观察。这样也便于检查试样腐蚀形貌及相关区域的图形结构的透射电子显微镜（TEM）结晶。 表面和测试试样的横截面检验在菲利普斯XL 30和蔡超55场发射枪扫描电子显微镜（FEG SEMS），配有能量色散X射线（EDX）和电子背散射衍射（EBSD）设施。为了从侵蚀地区获得EBSD数据，COR风蚀标本进一步蚀刻20重量%的氢氧化钠溶液，在室温下为60秒，然后desmutted 30体积%的溶液冲洗30秒，在去离子水和冷的气流干燥。