在1989年3月我又回到了在美国的日亚化学.docVIP

在1989年3月我又回到了日亚化学。在美国，我曾操作我自己的MOCVD设备，继续我的来自供应商的秘密目标。该反应器已经到来。这个问题在于：让它成长是什么材料？有三 种可能的材料。一，碳化硅（SiC），尽管它在有限的商业化生产，我已经拒绝了。碳化硅有一个间接带隙，这意味着该材料会永远无法发出明亮的蓝光。 另外两种材料，硒化锌和GaN，都遭受了从相同的缺陷。其一是，使一个适当的LED，你需要制作两个负和正型材料。迄今为止，然而，它已证明不可能。产生p型的ZnSe或p型GaN。如果让我选择，我可能不知道，但是，这个正是要变化的：在1989年，研究人员将在制作p型GaN的成功;次年会看到的第一P型ZnSe。 第二，更严重的，缺点是缺乏能在其上合适的基体材料来制造的LED。砷化镓发光二极管可以砷化镓成长晶圆。但是，没有人能够成长批量的ZnSe或GaN的。这意味着采用一些“外来”材料晶片作为基板，这又意味着之间的不匹配基板和发光层。其结果是有缺陷，因为它们会导致LED以热的形式消散能量，而不是光的形式，这是不可取的。 如果用ZnSe，软质材料，该问题似乎变简单得多。你可以在砷化镓衬底生长的ZnSe 和错配仅为0.3％，理想值0.01％相较不远。换言之每平方厘米约1000的缺陷密度。而GaN，一个坚硬的材料，最好的基板的蓝宝石。但是，即使蓝宝石产生了巨大的失配的16％。这意味每平方厘米十一个缺陷