模拟电子线路技术总结.ppt

1.1.10 晶体二极管的应用 电源设备组成框图： 电 源 变压器 整流 电路 滤波 电路 稳压 电路 vi vO t vi t v1 t v2 t v3 t vO 整流电路 1.1.11 整流与稳压电路 D + - + - R vO vi 当vi 0V时，D导通，则vO vi 当vi ?0V时，D截止，则vO 0V 由此，利用二极管的单向导电性，实现了半波整流。 若输入信号为正弦波： 平均值： VO t 0 vi t 0 vO 稳压电路 某原因VO? ? IZ?? ? I ? 限流电阻R：保证稳压管工作在Izmin~ Izmax之间 稳压原理： VO? ? VR? VO VZ 输出电压： D + - + - R RL IL VI VO IZ I 1.1.12 限幅电路 或削波电路） ?V2 vi V1时，D1、D2截止,vo vi t 0 vi t 0 vO vi ?V1时，D1导通、D2截止,vo V1 vi ? ?V2时，D2导通、D1截止,vo V2 由此 ，电路实现双向限幅功能。 vO vi + - D1 + - + - R D2 V1 -V2 + - 其中：V1为上限幅电平， ?V2为下限幅电平。 V1 -V2 -V2 V1 * 电子线路：指包含电子器件、并能对电 信号实现某种处理的功能电路。 概 述 电路组成：电子器件 + 外围电路 电子器件：二极管、三极管、场效应管、 集成电路。 外围电路：直流电源、电阻、电容、 电流源电路等。 1.1 PN结及二极管 1.3 半导体场效应管 1.2 半导体三极管 1.4 集成运算放大器 1.0 概述 第一章 半导体器件概述 概 述 晶体二极管结构及电路符号： PN结正偏（P接+、N接-），D导通。 P N 正极 负极 晶体二极管的主要特性：单方向导电特性 PN结反偏（N接+、P接-） ，D截止。 即 主要用途：用于整流、开关、检波电路中。 半导体：导电能力介于导体与绝缘体之间的物质。 1.1.1 半导体物理基础知识 硅 Si 、锗 Ge 原子结构及简化模型： +14 2 8 4 +32 2 8 4 18 +4 价电子 惯性核 硅和锗的单晶称为本征半导体。它们是制造半导体器件的基本材料。 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 硅和锗共价键结构示意图： 共价键 1.1.1 本征半导体 当T升高或光线照射时 产生自由电子空穴对。 共价键具有很强的结合力。 当T 0K（无外界影 响）时，共价键中无自由移动的电子。 这种现象称 注意：空穴的出现是半导体区别于导体的重要特征。 本征激发。 本征激发 当原子中的价电子激发为自由电子时，原子中留下空位，同时原子因失去价电子而带正电。 当邻近原子中的价电子不断填补这些空位时形成一种运动，该运动可等效地看作是空穴的运动。 注意：空穴运动方向与价电子填补方向相反。 自由电子 — 带负电 半导体中有两种导电的载流子 空穴的运动 空 穴 — 带正电 温度一定时： 激发与复合在某一热平衡值上达到动态平衡。 热平衡载流子浓度 热平衡载流子浓度： 本征半导体中 本征激发——产生自由电子空穴对。 电子和空穴相遇释放能量——复合。 T 导电能力 ni 或光照 热敏特性 光敏特性 N型半导体： 1.1.2 杂质半导体 +4 +4 +5 +4 +4 简化模型： N型半导体 多子——自由电子 少子——空穴 自由电子 本征半导体中掺入少量五价元素构成。 P型半导体 +4 +4 +3 +4 +4 简化模型： P型半导体 少子——自由电子 多子——空穴 空 穴 本征半导体中掺入少量三价元素构成。 1.1.3 两种导电机理——漂移和扩散 载流子在电场作用下的运动运动称漂移运动，所形成的电流称漂移电流。 漂移电流密度 总漂移电流密度： 迁移率 漂移与漂移电流 载流子在浓度差作用下的运动称扩散运动，所形成的电流称扩散电流。 扩散电流密度: 扩散与扩散电流 N 型 硅 光照 n x p x 载流子浓度 x no po 1.1.3 PN结 利用掺杂工艺，把P型半导体和N型半导体在原子级上紧密结合，P区与N区的交界面就形成了PN结。 掺杂 N型 P型 PN结 1.1.4 动态平衡下的PN结 阻止多子扩散 出现内建电场 开始因浓度差 产生空间电荷区 引起多子扩散 利于少子漂移 最终达动态平衡 注意： PN结处于动态平衡时，扩散电流与漂移电流相抵消，通过PN结的电流为零。 PN结形成的物理过程 注意：掺杂浓度（Na、Nd）越大，内建电位差 VB 越大，阻挡层宽度 l0 越小。 内建电位差： 阻挡层宽度： 室温时 锗管 VB ? 0.2 ~ 0.3V 硅管