实验六NPN器件设计与特性模拟实验案例.docVIP

实验 NPN器件模拟实验 实验调查 掌握器件的特性，转移特性曲线，IV特性曲线，等 二、实验目的 1. 熟悉Silvaco TCAD的仿真模拟环境； 掌握器件特性的仿真流程 掌握使用Tonyplot观察仿真仿真结果 三、实验要求 1、实验前必须仔细调查实验调查的内容 2、根据程序完成器件仿真 四、实验指导 1、 创建一个初始网格结构 2、初始化硅衬底 3、进行 Boron离子注入 4、进行 Boron扩散 5、淀积多晶硅栅 6、进行Polysilicon掺杂 7、刻蚀多晶硅 8、多晶硅氧化 9、 退火 10、进行二次 Boron离子注入 11、形成侧氧 12、进行三次 Boron离子注入与退火 13、镜像得到完整NPN结构 14、形成发射级和基极接触 15、定义电极 16、 保存ATHENA结构文件 图一 NPN三极管 器件仿真步骤： 1、结构说明 2、材料模型说明 3、数学计算方法的说明 4、解析条件说明 5、结果分析 图二 NPN三极管转移特性 图三 NPN三极管IV特性 五、实验仿真程序 go athena # Polysilicon Emitter Bipolar NPN line x loc 0.00 spac 0.03 line x loc 0.2 spac 0.02 line x loc 0.24 spac 0.015 line x loc 0.3 spac 0.015 line x loc 0.8 spac 0.15 # line y loc 0.00 spac 0.01 line y loc 0.12 spac 0.01 line y loc 0.3 spac 0.02 line y loc 0.5 spac 0.06 line y loc 1 spac 0.35 # Initial Silicon Structure init silicon c.arsenic 2e16 orientation 100 # struct outfile init_bjt.str # Implant Boron implant boron dose 2.5e13 energy 18 crystal # Diffuse Boron diffus time 60 temp 920 nitro # struct outfile implant1_bjt.str # Deposit Polysilicon deposit polysilicon thick 0.3 divisions 6 # struct outfile poly_bjt.str # Implant to Dope Polysilicon implant arsenic dose 7.5e15 energy 50 crystal # struct outfile dopepoly_bjt.str # Pattern Polysilicon etch polysilicon right p1.x 0.2 # struct outfile etchpoly_bjt.str # Polysilicon Oxidation method fermi compress diffus time 25 temp 920 dryo2 press 1.00 # struct outfile polyox_bjt.str # Annealing Process diffus time 50 temp 900 nitro press 1.00 # struct outfile anneal_bjt.str # Second Boron Implantation implant boron dose 2.5e13 energy 18 crystal # struct outfile implant2_bjt.str # Deposit Spacer deposit oxide thick 0.4 divisions 10 # struct outfile depositspacer_bjt.str # etch the Spacer Back etch oxide dry thick 0.50 # struct outfile etchspacer_bjt.str # Forming P+ Base Region implant boron dose 1e15 energy 30 crystal # struct outfile implant3_bjt.str # Second Annealing Process diffus time 60 temp 900 nitro press 1.00 # struct outfile anne