数字电路_复习精讲.ppt

第三章 门电路 3.1 概述 实现基本和常用逻辑运算的电子电路，叫做逻辑门电路，称为门电路。 基本逻辑门电路：与门、或门、非门 常用门电路：与非门、或非门、与或非门、异或、同或 门电路中以高、低电平表示逻辑状态的1、0. 获得高、低电平的基本方法：利用半导体开关元件的导通、截止（即开、关）两种工作状态。 用来获得高、低输出电平的基本开关电路： 理想开关的特性 静态特性 断开时，IOFF 0 R ∞ 闭合时，Uon 0 R 0 动态特性 开通时间ton 0 关断时间toff 0 实际使用的开关为晶体二极管、三极管及场效应管等电子器件。 这些电子器件作为开关使用时，也是从这两个方面讨论器开关特性。 3.2 半导体二极管门电路 一、静态特性 伏安特性:单向导电性 在数字电路中，使用 二极管的正向导通区 （开关闭合）和反向 截止区（开关断开） 二极管开关等效电路 二极管的静态开关特性： 导通条件与导通时的特点 当外加正向电压大于0.7V时，二极管导通，此时可认为二极管两端的电压不变，如同一个具有值为死区电压值的闭合了的开关。 截止条件与截至时的特点 当外加电压小于0.7V时，二极管截止，此时就近似的认为电流为零，如同一个断开了的开关。 二、动态特性 二极管的电容效应：Cj ，CD。 二极管的开关时间 3.3 CMOS门电路3.3.1MOS管的开关特性 二、N沟道增强型MOS管的输入输出特性曲线 a 共源接法 b 输出特性曲线 MOS管的转移特性 三、MOS管的基本开关电路 四、MOS管的开关等效电路 a 截止状态 b 导通状态 P沟道增强型MOS管 P沟道增强型MOS管的漏极特性 用P沟道增强型MOS管接成的开关电路 N沟道耗尽型MOS管 P沟道耗尽型MOS管 MOS管非门 3.3.2 COMS反相器的电路结构和工作原理一、 COMS反相器的电路结构 （a）结构示意图 （b）电路图 三、输入端噪声容限 保证输出高、低电平基本不变（在允许的范围内）的条件下，而允许的输入信号的波动范围称为输入端噪声容限。 3.3.3 CMOS反相器的静态输入特性和输出特性一、输入特性 （a）CC4000系列的输入保护电路 （b）74HC系列的输入保护电路 （1）vO VOL时CMOS反相器的工作状态 CMOS反相器的低电平输出特性 （2）vO VOH时CMOS反相器的工作状态 CMOS反相器的高电平输出特性 3.3.4 CMOS反相器的动态特性1.CMOS非门传输延迟时间 2.输出端状态转换时间 一、其他逻辑功能的CMOS门电路 CMOS或非门 带缓冲级的CMOS或非门电路 带缓冲级的CMOS或非门电路 计算OD门负载电阻最大值的工作状态 计算OD门负载电阻最小值的工作状态 三、CMOS传输门 四、三态输出的CMOS门电路 用三态输出门接成总线结构 用三态输出门实现数据的双向传输 3.5 TTL门电路3.5.1 双极型三极管的开关特性 a 三极管输入特性曲线 b 输出特性曲线 三、双极型三极管的基本开关电路 四、双极型三极管的开关等效电路 a 截止状态 b 饱和导通状态 五、三极管的动态开关特性 六、三极管非门（反相器） 3.5.2 TTL反相器的电路结构和工作原理一、电路结构 二、TTL反相器的电压传输特性 3.5.3 TTL反相器的静态输入特性和输出特性一、输入特性 三、TTL反相器输入端负载特性 3.5.4 TTL反相器的动态特性传输延迟时间 3.5.5 其他类型的TTL门电路 2.TTL或非门电路 3.TTL与或非门 4.TTL异或门 OC门输出接法 三、三态输出门电路 （a）控制端高电平有效 （b）控制端低电平有效 CMOS传输门中两个MOS管的工作状态 CMOS双向模拟开关的电路结构和符号 一、其他逻辑功能的门电路1.TTL与非门 二、TTL集电极开路的门电路（OC门） 3.3.5 其他类型的CMOS门电路 CMOS与非门 二、漏极开路输出门电路（OD门） 一、双极型三极管的结构 它与PN结的正向特性相似，三极管的两个PN结相互影响，因此，输出电压UCE对输入特性有影响，且UCE 1时，这两个PN结的输入特性基本重合。 二、双极型三极管的输入特性和输出特性 当输入电压的低电平UIL 0V时： 当输入电压的高电平UIH 3V时： IBS 0.06mA , iB 1mA 所以BJT工作在饱和区。 静态开关特性： a.截止条件与截至时的特点 三极管的基极与射极电压小于0.7V时，截止，此时如同一个断开了的开关。 b.导通条件与导通时的特点： 三极管的基极电流大于其临界饱和值IS时，饱和导通，此时如同一个闭合了的开关。 5V 二、输出特性 1.高电平输出特性 2.低电平输出特性