数字电路第2章逻辑门电路精讲.ppt

2.5.2 CMOS电路驱动TTL电路 CMOS电路驱动TTL电路的一个问题是有些CMOS电路不能提供足够的驱动电流。CMOS电路允许的最大灌电流为0.4mA，而TTL的输入短路电流为1.4mA，为了克服这个矛盾，可用如图所示接口电路。 2.5.2 CMOS电路驱动TTL电路 选用74HC/74HCT系列或74AHC/AHCT系列的CMOS电路，可以直接驱动任何系列的TTL电路。 例 由TTL门输入端悬空逻辑上认为是1可写出 试写出由TTL门构成的逻辑图如图所示的输出F。 例 由TTL门组成上面逻辑门由于10kΩ大于开门电阻RON，所以，无论 A、B为何值 试分别写出由TTL门和CMOS门构成的逻辑图的表达式或逻辑值。 由CMOS门组成上面逻辑门由于CMOS无开门电阻和关门电阻之说，所以， 本章主要内容 门电路是构成各种复杂数字电路的基本逻辉单元，掌握各种门电路的逻辑功能和电气特性，时于正确使用数字集成电路是十分必要的。 本章重点介绍了目前应用最广的CMOS和TTL两类集成门电路。在学习这些集成电路时应将重点放在它们的外部特性上。外部特性包含两个内容，一个是输出与输入间的逻辑关系，即逻辑功能；另一个是外部的电气特性，包括电压传输特性、输入特性、输出特性和动态特性等。 本章主要内容 介绍的有关集成电路内部结构和工作原理的内容，目的在于帮助读者加深时器件外特性的理解，以便更好地运用这些外特性。 尽管逻辑电路越来越复杂，但只要是CMOS电路，它们的输入端和输出端的电路结构就和这一章里所讲的CMOS门电路相同；只要是TTL电路，它们的输入端和输出端电路结构就和这一章里所讲的TTL电路相同。 本章主要内容 本章所讲的外部电气特性时这些电路同样适用。 在使用CMOS器件时应特别注意掌握正确的使用方法，否则容易造成损坏。 目前生产和使用的数字集成电路种类很多，可以从制造工艺、输出结构和逻辑功能三个方面把它们进行分类，哪一种系列的产品，它们的逻辑功能都是一样的。而且，在采用同样的封装形式时，集成电路外部引脚的排列顺序也完全相同，但是不同系列产品的电气特性就大不相同了。因此，不能简单地将它们互相替换使用。 作业： 2-8，2-9，2-13，2-14，2-17，2-20 注：教材26页图有错，二极管方向接反了。 * * * * T2的内阻与vGS2的大小有关，vGS2越大，导通内阻越小，同样的IOL值下，VDD越高，T2导通时的vGS2越大，VOL越低。 * 2.电流传输特性 CMOS反相器的电流传输特性 AB段：输入低电平 T1管导通，T2截止，输出漏极电流近似为零 电流传输特性是反相器的漏极电流随输入电压变化曲线，如图所示。也分成三段： CD段：输入高电平 T1管截止，T2导通，输出漏极电流近似为零 CMOS反相器的电流传输特性 BC段： CMOS反相器的电流传输特性 T1、T2同时导通，有电流iD同时通过，且在 vI＝VDD / 2附近处，漏极电流最大，故在使用输入电压不应长时间工作在这段，以防由于功耗过大而损坏。 CMOS 反相器的静态输入和输出特性 CMOS 反相器的静态（不考虑输入输出延迟）输入和输出特性为输入端和输出端的伏安特性 一、输入特性 输入特性是从CMOS反相器输入端看其输入电压与电流的关系。 由于MOS管的栅极和衬底之间存在SiO2为介质的输入电容，而绝缘介质又很薄，非常容易被击穿，所以对由MOS管所组成的CMOS电路，必须采取保护措施。 图为CMOS反相器的两种常用保护电路 CMOS 反相器的静态输入和输出特性 CMOS反相器的两种常用保护电路 其中D1和D2，正向导通压降为VDF＝0.5V～0.7V，反向击穿电压约为30V， D2为分布式二极管，可以通过较大的电流，RS的值一般在1.5~2.5KΩ之间。 C1和C2为T1和T2的栅极等效电容 在输入信号正常工作范围内，即0≤vI ≤VDD，输入端保护电路不起作用。当vI VDD+VF时，D1导通，将栅极电位vG钳位在VDD+VF，而当vI -VF时， D2导通，将栅极电位vG钳位在－VF，这样使得C1、 C2不会超过允许值。 CMOS反相器的两种常用保护电路 CMOS 反相器的静态输入和输出特性 其输入特性如图所示 CMOS 反相器的静态输入和输出特性 CMOS反相器的输入特性 D1、D2截止 D1或D2导通 D1或D2导通 CMOS 反相器的静态输入和输出特性 二、输出特性 输出特性为从反相器输出端看输出电压和输出电流的关系，包括输出为低电平输出特性和输出为高电平输出特性 1.低电平输出特性 输入为高电平，即 vI＝VIH＝VDD时，此时T1截止， T2导通，如图所示，电流从负载注入T2，输出电压VOL随电流增加而提高。 输出为低电平