01(辐射度与光度量)-97.pptVIP

第一章 光电检测技术基础 第一节、光辐射度量与光度量 第二节、半导体物理基础 第三节、光电效应 当没有外加电场时，电子作无规则运动，其平均定向速度为零。一定温度下半导体中电子和空穴的热运动是不能引起载流子净位移，从而也就没有电流。但漂移和扩散可使载流子产生净位移，从而形成电流。 载流子因浓度不均匀而发生的从浓度高的点向浓度低的点运动。 载流子在外电场作用下，电子向正电极方向运动，空穴向负电极方向运动称为漂移。 在强电场作用下，由于饱和或雪崩击穿半导体会偏离欧姆定律。在弱电场作用下，半导体中载流子漂移运动服从欧姆定律。 在N型半导体中，漂移所引起的电流密度为： j电流密度; n为载流子密度； q为电子电荷；υ为载流子平均漂移速度 欧姆定律的微分形式为： 有一定的电场强度，就有一定的电流密度，因而也就有一定的平均漂移速度。因此电场强度与平均漂移速度有关系。 迁移率表示载流子在单位电场作用下所取得的漂移速度。 ? 在电场中电子所获得的加速度为 在漂移运动中，因电子与晶格碰撞发生散射，故每次碰撞后漂移速度降到零。如两次碰撞之间的平均时间为τf ，则经τf 后载流子的平均漂移速度为 迁移率与载流子的有效质量和平均自由时间有关。由于空穴的有效质量比电子的有效质量大，所以空穴的迁移率比电子的迁移率小。 在电场作用下，任何载流