14.1.2 N型半导体和 P 型半导体 14.1.2 N型半导体和 P 型半导体 14.2 PN结及其单向导电性 14.2.1 PN结的形成 14.2.2 PN结的单向导电性 2. PN 结加反向电压(反向偏置) 2. PN 结加反向电压(反向偏置) 14.3 二极管 14.3.1 基本结构 14.3.2 伏安特性 14.3.3 主要参数 二极管电路分析举例 14.4 稳压二极管 3. 主要参数 14.5 晶体管 14.5.1 基本结构 14. 5. 2 电流分配和放大原理 1. 三极管放大的外部条件 2. 各电极电流关系及电流放大作用 14.5.3 特性曲线 1. 输入特性 2. 输出特性 14.5.4 主要参数 1. 电流放大系数,? 作业(P30) 选择题全做 14.3.6 14.4.3 14.5.8 3.三极管内部载流子的运动规律 B E C N N P EB RB EC IE IBE ICE ICBO 基区空穴向发射区的扩散可忽略。 发射结正偏,发射区电子不断向基区扩散,形成发射极电流IE。 进入P 区的电子少部分与基区的空穴复合,形成电流IBE ,多数扩散到集电结。 由于集电结反偏,扩散到基区在集电结边缘的自由电子进入集电区,形成ICE。 集电结反偏,有少子形成的反向电流ICBO。 3.
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