半导体物理与器件第十一章1绪论.pptVIP

半导体物理与器件 陈延湖 第十一章 金属氧化物半导体场效应晶体管：概念的深入 非理想效应(11.1 ) 亚阈值电导 沟道长度调制 迁移率变化速度饱和 弹道输运 MOSFE按比例缩小理论(11.2 ) 恒定电场按比例缩小 准恒电场按比例缩小 MOSFET阈值电压修正(11.3 ) 短沟道效应 窄沟道效应 MOSFET的附加电学特性（11.4） 击穿电压 离子注入进行阈值调整 11.1.1亚阈值电导 亚阈值电导：当栅源电压Vgs小于或等于阈值电压Vt时，MOS漏电流ID并不为零，该电流称为亚阈值电流，对应的沟道电导称为亚阈值电导。 源到栅到漏的势垒结构 该指数规律可以表达为： 例题： 考虑一个被偏置于亚阈值区的MOSFET，VDSKT/e，基于以上理想指数电流关系，要使漏电流变化10倍，栅电压应如何变化。 含有数个MOSFET的大规模集成电路中，亚阈值电流可以造成很大的功耗，因此电路设计者必须考虑亚阈值电流的影响。应保证MOSFET被偏置在远低于阈值电压的状态从而使器件处于彻底关断状态。 11.1.2 沟道长度调制效应 沟道长度调制效应：当MOSFET偏置在饱和区时，漏源电压VDS使漏端的耗尽区横向延伸而进入沟道，沟道被夹断，从而减少了有效沟道长度，影响到漏电流IDS的大小。 求 此时MOSFET的饱和区漏电流可写为： 例 11.1.3-4 迁移率变化及速度饱和 影响迁移率的三