ICLayout2-1_07CMOSlayout报告范本.ppt

Step 2：源－漏共用 * CMOS Layout * 将相邻晶体管中原先独立但接同一电位的源漏区合并，合并后的区域即可以是一个晶体管的源，同时也可以是另一个晶体管的漏。 * CMOS Layout * 只要是相同端点，任何两个相邻的晶体管都可以采 用源漏共用。 Two Inverters In GND Out VDD In GND Out VDD 源漏区共用 ? ? §2.5 器件连接技术 器件连接技术 器件接触 CMOS版图设计基本技术 §2.5 器件连接技术 器件连接： 用导体层将相同的端点连接在一起。 导体层： 金属、多晶硅、扩散层 源漏区共用后，我们需要将接到同一电位上的端 点用导体层连接起来。 导体 pdiff/ndiff 3 poly 3 2 metal 器件连接 多晶硅连接 一般一个工艺只有一种类型的多晶硅； 可用作栅连接或特殊情况下的连线。 金属连接 一般一个工艺有多种类型的金属层； 只可用作相同端点间的互连线。 叉指型 扩散层连接 Note: 连接后的管子的有效栅宽与原管相同，但寄生 参数变小了。 器件接触 实现不同导体层间的连接