晶体管原理总结2.pptVIP

Institute of Microelectronics Circuit System --*-- 以N沟道MOSFET为例--- 非饱和区的漏源电导为： 当VDS=VDsat 时： (1)有效沟道长度调制效应对 的影响： 当沟道长度L较短时，沟道长度调制效应较显著，这时饱和区漏源电导 将很大。 第四章 场效应晶体管 --1.MOSFET的基本特性 (2)漏区静电场对沟道区的反馈作用对 的影响： Institute of Microelectronics Circuit System --*-- 3）电压放大系数 定义： 以N沟道为例，在非饱和区： 取全微分，得 令上式为零，得 第四章 场效应晶体管 --1.MOSFET的基本特性 MOSFET 的频率特性 1）本征电容Cgs和Cgd 定义栅极电容CG ： P-衬底 N+ N+ ① ② 栅、源对交流短路的情况下： 栅漏电容Ｃgd: Institute of Microelectronics Circuit System --*-- 推导Cgs和Cgd的表达式采用准静态近似法 栅、漏对交流短路的情况下： 栅源电容Ｃgs: 当VDS=0时 第四章 场效应晶体管 --1.MOSFET的基本特性 物理意义: 当VGSVT后，源漏区之间的半 导体表面将形成沟道。如果VGS增加 饱和时电子将由源区流入沟道，使沟道内的电子电荷增加。可把这一过程看做是通过电阻Rgs对栅极与沟道间电容的充电。 当饱和时, CG=2ZLCOX/3, Cgd=0, Cgs=2ZLCOX/3 Institute of Microelectronics Circuit System --*-- 2）寄生参数 N+ N+ S D G Cgs’ Cgd’ 版图设计时须使金属栅极与源漏区有重叠,则形成寄生电容Cgs′，Cgd′。 第四章 场效应晶体管 --1.MOSFET的基本特性 MOSFET中高频主要参数 RS和RD分别代表源漏极的寄生串联电阻。均有三部分组成： ①金属与源、漏区的接触电阻； ②源、漏区的体电阻； ③当电流从源、漏区流向较薄的反型层时，与电流流动路线的聚集有关的电阻，即“扩展电阻”效应。 Institute of Microelectronics Circuit System --*-- 3）频率特性 MOS中的电容、载流子渡越沟道时间，这些使MOSFET存在频率使用限制。 第四章 场效应晶体管 --1.MOSFET的基本特性 (1)跨导截止频率 Vgs ig Cgs’ Cgs Rgs C’gd rds RL id MOSFET线性放大器的基本电路 低频时: ?VGS使Cgs两端感应出符号相反的电荷,沟道电荷随栅压改变,产生?I。 高频时: Institute of Microelectronics Circuit System --*-- 下降到低频值频率的 时的频率。 第四章 场效应晶体管 --1.MOSFET的基本特性 跨导截止频率 （2）最高工作频率 栅极电流的小信号高频分量为： 设 ,则输入阻抗为 输入电容为： 密勒效应：在放大电路中，电容 等效到输入端时扩大到 倍的现象。 Institute of Microelectronics Circuit System --*-- 最高工作频率 定义：输入电流上升到正好等于电压控制电流源电流时的频 　　　率为MOSFET的截止频率，表示为fT（ ）。 第四章 场效应晶体管 --1.MOSFET的基本特性 （3）改善频率特性的方法 ③减小寄生电容Cgs’、Cgd’,由于密勒效应的存在 ，尤其减小Cgd’。 ①选用高迁移率衬底材料，选用提高沟道迁移的结构（100）方向。 ②缩小沟道长度L，提高VGS 最大功率增益与最高振荡频率 * Institute of Microelectronics Circuit System --*-- 非饱和开关：以放大区作为导通状态的开关 饱和开关： 以饱和区作为导通状态的开关，接近理想开关 晶体管的开关作用：通过基极来控制信号，使晶体管在导通与截止间转换来实现。 第三章 双极结型晶体管 --Ⅳ 晶体管的开关特性 2) 饱和区特性 在饱和区工作的晶体管可以看作是正向、倒向两个状态管的合成结果。 正向 临界饱和，倒向管无电流 饱和时， 不变， Institute of Microelectronics Circuit System --*-- 3) 驱动电