如何制作标准的ICT测试程序.docVIP

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如何制作标准的ICT测试程序

? 如何制作标准的ICT测试程序 来源: 作者:赐鸿科技 热度:836 日期:11-08-05, 07:17 PM 注意事項: 一.? 一般情况下不允許修改R 的標准值(电阻并联电阻除外) 二.? 修改程式的上下范圍必須按以下的標准执行 . ü? 跳線﹑ Connecter ﹑Fuse﹑電感﹑排感 ﹕ 以J測試﹐ Exp-V用1表示﹐+-10% ﹐MODE為 0 ﹐無Guarding , 无 Offset 。 跳線﹕ 當Pin-Pin間有跳帽時﹐Exp-V用1表示﹐否則Pin-Pin間測試Exp-V采用4表示。 開關探針﹕ 以J測試﹐ Exp-V用1表示+-10% ﹐MODE為 0 ü? 電阻﹑排阻 ﹕ 1﹑0 Ω ﹕按3 Ω 為標准﹐+10%﹐-1%﹔或按J測試﹐MODE為1﹐無Offset﹐+-10% 2﹑2.2 Ω :??+60%﹐-30%﹐一般不采用MODE?3﹐無Guarding 3﹑4.7 Ω :??+40%﹐-20%﹐?一般不采用MODE?3 , ?無Guarding 4﹑10.0 Ω ﹕?+15%﹐?-10%﹐一般不采用MODE?3﹐可根據各機台稍加Offset 5﹑10. 0Ω 以上﹕?+-10%﹐一般不采用MODE?3 ﹐不加 Offset 6﹑熱敏電阻﹕可適當放寬范圍 , 一般不采用MODE?3﹔ 7﹑電阻并聯﹐可按并聯值 R 1 *R 2 / R 1 +R 2 作標准值﹔+-10%? 一般不采用MODE?3 8﹑NC元件﹕一般50KΩ為標准值﹐+Lim:-1% ﹐-Lim﹕10% ﹐有并聯除外 9﹑并聯 IC 時﹐100K以上電阻+Lim﹕+10%﹔-Lim﹕可稍放寬 10﹑ No?Pin的電阻可適當考慮用串聯的方式進行測試﹐ 小電阻并聯大電阻相差20倍時﹐大電阻不予測試﹔ 11﹑蜂鳴器﹕做電阻測試﹐Exp-V采用44ohm (据实际情况) ﹐+-10%﹐無 Guarding ﹐ 一般不采用MODE?3 12﹑FET管作電阻測試﹕Mode 一定 為5﹐+20%﹐ -10% ﹔也可直接選用Type:QF,Mode:22或23 13﹑對測試極不穩定的電阻﹐可按PCA上實際電阻量測值作為Exp-V或根據線路圖分析﹔ 14﹑BOM-V一律根據BOM進行填寫。 15﹑可調電阻﹐以最大值測試﹐+-10% ;或取中间值测试,+?-50%。 ?ü? 電容、排容﹕ 1.? 10PF或10PF以下電容﹐測試會極不穩定﹐Exp-V可加大到30PF或50PF﹐+50%,-40%,也可依實際情況定Exp-V﹐offset定好后不允許隨意更改﹔ 具體依DEBUG原則﹔ 2.? 10PF以上﹐1nF以下﹐+45%,-35%,?offset定好后不允許隨意更改﹔Mode參見Debug原則﹔ 3.? Exp-V?﹕1nF~99nF﹐+45%,-35%,?Mode參見Debug原則﹔ 4.? Exp-V?﹕100nF﹕+70%,-30%﹐ 無Offset ,?Mode參見Debug原則﹔ 5.? Exp-V?﹕1uF﹕+40%,-30%﹐ 無Offset ,?Mode參見Debug原則﹔ 6.? Exp-V?﹕10uF以上﹐470uF以下﹐+-30%﹐Mode參見Debug原則﹔ 7.? Exp-V﹕470uF以上﹐+-20%﹐ 8.? 并聯電容Exp-V ?C 1 +C 2 ?+ …… +?C n ﹐? 9.? NC元件﹕可以不進行測試﹔ 10.? FET管作電容測試﹕Exp-V約2~10nF﹐+20%﹐-15%﹐Exp-V定下后不能隨意更改﹔ 11.? BOM-V一律根據BOM進行填寫﹔NC元件BOM-V為0u﹔ 12.? 小電容并大電容﹐相差20倍以上﹐小電容可以不予測試 C 1 / C 1 +C 2 +…C n 5% 。 13.? 微法級電容的電容值小於 1000uF , Mode4? 的測試會比 Mode8 來得好且速度也較快; 14.? 較大微法級電容值測試不穩時﹐可以加放電﹔ 15.? 當規定的Limit 與 BOM上規定的 小時 ﹐一律依據BOM作為標准。 16.? 电容极性测试:必加三端测试针,MODE8、18。EXP-V:0.2V,G?以第三脚为G。 17.? 實際值以 5V ~ 10V 量測時,標準值之漏電流值約 0.2mA ~ 0.5mA ,若反插時 , 其反向漏電流值會遠大於正向漏電流值。高點之腳號即是電容+端之測試針號碼 , 而低點之腳號即是電容-端之測試針號碼,通常須加較大的延遲時間,漏電流才會穩定。 ü? 電感﹕ 除了作J測試外﹐電感主要以L測試﹐+-30% ü? 二極體﹕ 1.? 發光二極管用D作Type﹐Mode?用1或 24﹐當用24Mode時﹐Exp-V為1. 5V 不允許交換高低點﹐

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