光电子学(第四章4)分析.ppt

自由载流子效应引起n变 4-1光在介质分界面上反射与折射 4-2介质平板上光波导射线分析方法 4-3平板波导电磁理论 4-4矩形介质波导基本概念 4-5光纤中射线分析 4-6光纤中电磁波模式理论 4-7光纤损耗与色散 4-8光波导装置与应用 n?与T及?有关。 ? 1.0?m，n随Al百分比浓度近 线性?（? 1.30?m）。 相对不掺杂GaAs， 掺0.2%Al，?n≈0.09，远 6-5-4 自由载流子效应引n变。 ① 自由载流子效应 ② 改变成分影响 1. 改变半导体 n 方法 2. 半导体平板波导 3. 半导体波导中的损耗 一、矩形介质波导的物理模型 二、半导体波导理论 ③ 电场效应 ④ 形变效应 线性电光效应材料，外来E变，n跟着变。 闪锌矿晶体（Zr[SiO4]）III-V族半导体属这类。 4-1光在介质分界面上反射与折射 4-2介质平板上光波导射线分析方法 4-3平板波导电磁理论 4-4矩形介质波导基本概念 4-5光纤中射线分析 4-6光纤中电磁波模式理论 4-7光纤损耗与色散 4-8光波导装置与应用 ① 自由载流子效应 ② 改变成分影响 1. 改变半导体 n 方法 2. 半导体平板波导 3. 半导体波导中的损耗 一、矩形介质波导的物理模型 二、半导体波导理论 ③ 电场效应 ④ 形变效应 半导体形变，晶格常数，能带间隙随着变致n变。 简压缩和拉伸形变，n变与T和压力变引起相似。 III-V族半导体大光弹系数，小形变引起n变明显。 波导电场效应和形变效应被忽视，对波导影响，注意 ！！！ 4-1光在介质分界面上反射与折射 4-2介质平板上光波导射线分析方法 4-3平板波导电磁理论 4-4矩形介质波导基本概念 4-5光纤中射线分析 4-6光纤中电磁波模式理论 4-7光纤损耗与色散 4-8光波导装置与应用 ① 自由载流子效应 ② 改变成分影响 1. 改变半导体 n 方法 2. 半导体平板波导 3. 半导体波导中的损耗 一、矩形介质波导的物理模型 二、半导体波导理论 ③ 电场效应 ④ 形变效应 低n基质有层高n膜非对称三层波导, 三层n满足n1 n2~n3, n3≈1 波导传播TE和TM模依赖波导层厚d及波导层与约束层 衬, 包 n差 m模波导层dm与三层n关系: ζ常数, 低 较低 高 包层 薄层 衬底 衬底 载流子浓度 4-1光在介质分界面上反射与折射 4-2介质平板上光波导射线分析方法 4-3平板波导电磁理论 4-4矩形介质波导基本概念 4-5光纤中射线分析 4-6光纤中电磁波模式理论 4-7光纤损耗与色散 4-8光波导装置与应用 n3 n1 n2 TE TM 平板波导导模截止特征方程： 1. 改变半导体 n 方法 2. 半导体平板波导 3. 半导体波导中的损耗 一、矩形介质波导的物理模型 二、半导体波导理论 TM TE 半导体平板波导 平板波导射线分析方法 二者形式相似 m模波导层截止厚dm与三层n关系 4-1光在介质分界面上反射与折射 4-2介质平板上光波导射线分析方法 4-3平板波导电磁理论 4-4矩形介质波导基本概念 4-5光纤中射线分析 4-6光纤中电磁波模式理论 4-7光纤损耗与色散 4-8光波导装置与应用 1. 改变半导体 n 方法 2. 半导体平板波导 3. 半导体波导中的损耗 一、矩形介质波导的物理模型 二、半导体波导理论 n3 n2，m 1： 6-5-7 d1 0：对称平板波导最低阶模，不存在dm 厚太小：大部分光逸出高n波导层外（厚不能太小）。 确定dm确定能否出现导模临界条件 对称平板波导， , ，零阶模m 0： 射线分析方法 4-1光在介质分界面上反射与折射 4-2介质平板上光波导射线分析方法 4-3平板波导电磁理论 4-4矩形介质波导基本概念 4-5光纤中射线分析 4-6光纤中电磁波模式理论 4-7光纤损耗与色散 4-8光波导装置与应用 m模 波导层截止厚dm与三层n关系 不存在dc，?c和?c，对称平板波导，任?光波都能以基模或0阶模传播。 平板波导特征方程 1. 改变半导体 n 方法 2. 半导体平板波导 3. 半导体波导中的损耗 一、矩形介质波导的物理模型 二、半导体波导理论 同质结（上下两种材料同，n2 n3）平板波导例： n1 3.5，基质自由载流子浓度Nfc 2×1018cm-3，? 1?m， ?n 0.0036，n3 1，代 6-5-7 ，m模dm： 二者接近，m大尤如此（第二项主要作用）。 同质结对称平板波导 dm 同质与异质结： ① 同质结 ② 异质结 m模，波导