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抽运光高斯分布假设 光纤耦合的半导体激光器发出抽运激光, 经过平凸透镜组成的光学系统或自聚焦透镜构成的耦合器后, 入射到激光晶体端面。其抽运光光强的空间分布可以用高斯函数来近似, 设抽运光平行 z轴入射到 z 0 面, 并辐射在晶体中心时, 在 z 0面 x y 面 上抽运光分布表达式为 1 其中 I 0 为抽运光中心在 z 0 面处的功率密度, 为光束的高斯半径。 激光晶体对抽运光的吸收系数为 , 当抽运光平行 z 轴传播时, 光强由于被吸收而减弱, 由吸收规律得到在晶体 z z 面的光强为 （2）. 激光晶体内产生的热功率密度 由于激光晶体荧光量子效应和内损耗吸收抽运光的能量远大于其他原因引起的晶体吸收的能量,仅考虑晶体由于荧光量子效应和内损耗吸收抽运光能量所产生的热量。 z z 面晶体吸收能量产生在的热功率密度为 （3） 其中 为由荧光量子效应和内损耗决定的热转换系数 （4）其中 为半导体激光器抽运光波长 808 nm , 为谐振腔的振荡激光波长 1064 nm。 3）晶体的边界条件 由于晶体放置在冷却器内, 晶体侧面温度保持相对恒定, 设为。作为热模型数学处理可设其为0 相对 , 得出温度场后, 再叠加冷却环境温度。晶体两个通光端面与空气相接触, 从两端面和空气热交换流出的热量远远小于从晶体侧面通过传导流出的热量, 因此可假设晶体的两端面绝热, 热模型的边界条件为： 2. 2、Nd:YVO4晶体内部含时温度场的计算表达式 由于激光晶体内部有热源, 则晶体内部热传导遵守泊松方程（6）其中为 晶 体 导 热 系 数 或 称 为 热 导 率。由 于 和边界条件的复杂性, 一般求解泊松方程的方法无法求出该方程的解。 一种求解边界条件 5 式下泊松方程解的新方法为: 泊松方程的解必须满足泊松方程的同时, 满足其边界条件其具体方法如下: 1 根据边界条件确定泊松方程解的本征函数族形式, 由本征函数族组成泊松方程解 T x , y , z ,T x , y , z 中有待定常数; 2 将 T x, y , z 代入泊松方程, 求出 T x, y , z 中的待定常数, 得出T x , y, z 的表达式; 3 由于 T x , y , z 既满足泊松方程又满足其边界条件, 又由于泊松方程的解存在唯一性, 则 T x ,y , z 是泊松方程的唯一解。泊松方程的解为 （7）。 将（7）式代入到（6）式得： （8） ，由于不考虑Z方向，故令z c，再将（8）式右边部分展开成以为基数的广义傅里叶级数得 等式左右系数相等得： 4）当计算含时的温度场表达式是，其函数也满足上述边界条件，故同上构造含时温度场表达式 （9），又 满足等式： （10），所以将（9）式代入到（10）式算出得： ，其中为介质的比热，为介质的密度。 故综上知含时的温度场分布表达式为：