半导体材料论文分析.doc

深圳大学考试答题纸 以论文、报告等形式考核专用 二○ ～二○ 学年度第 学期 课程编号 窗体顶端 窗体底端 它的最显著特征为所有的多型体均由相同的Si-C双层堆垛而 成如图2所示,结构之间的差别仅在于沿c轴方向的一维堆垛 顺序不同以及c轴的长短不同，这种现象称之为多型性。 在繁多的SiC多型体中,基本可分为两大类:α-SiC和β- SiC.β-SiC是唯一的一个具有立方结构的多型体,原胞为闪锌 矿结构,密排面为 111 面,密排方向为〈110〉方向;其它所有 结构类型统称为α-SiC,原胞通常采用六角点阵来描述,c轴可 为六次或三次对称轴,晶格常数为a b 0.3078nm, c n×0. 251nm 其中n为单胞内的堆垛层数 ,密排面为 0001 面,密排方向为〈112-0〉方向.各种多型体间在一定条件下可以发生相变.α-SiC中的6H, 4H, 15R, 21R为最常见类型,尤以6H数量最多.α-SiC多型体是以上述常见多型体结构为基本结构形成的,其中绝大多数是以6H为基本结构形成的多型体,按照Pandey和Krishna〔3〕的错排基体生长模型,除少数例外,以6H为基本结构形成的多型体的堆垛方式可概括为 3, 3 nX 3, 3 mY,式中X、Y代表 3, 2 、 3, 、 3, 5 、 3, 6 、 2 、 4 或 5 ; n、m为正整数,m可为零. 6H结构中Si,C原子在〔112-0〕方向的投影如图3所示： 图2. 三种常见不同晶型的碳硅双层分子排列 图3. 6H-SiC在〔112-0〕上投影 2.2.SiC同质异构结构 由于SIC半导体的不同晶型的禁带宽度差别较大,因而可以用来制作新型的半导体结构—同质异构结构,包括异构结、量子阱和超晶格。 通常提到的p一n结是由导电类型相反的同种半导体材料接触形成的,称为同质结。由两种不同的半导体接触形成的半导体结称为异质结。由于形成异质结的两种半导体的禁带宽度、介电常数、折射率、吸收系数等物理参数不同。形成异质结的关键在于结两侧的半导体材料具有不同的禁带宽度。而如果形成p一n结的半导体是同种材料但不是同一晶体类型,而不同晶型间禁带宽度有差别,也具有异质结的特性和优点,这种p一n结称为异构结。Sic多型的禁带宽度差别很大,因而可以实现这种异构结。 一个良好的异质 构 结要求有小的界面态密度,高的界面态密度会使异质结的电学性质劣化,这是许多异质结常常面临的问题。形成异质结的两种材料的晶格失配和热失配会在界面产生大量的悬挂键,甚至还有材料的化学不相容性,这将导致形成大量界面态,使异质结质量和性能变差。而SIC多型体之间仅是一维方向上堆垛方式的不同,因而可以形成没有晶格失配的界面,不会造成悬挂健;多型间亦无热膨胀系数失配,不会因温度变化而引入界面缺陷;化学成分又相同,属于同质生长。利用SIC多型体制作异构结是非常理想的。 量子阱、超晶格，量子阱是一种特别的异质结构。一层薄膜半导体夹在两层阻挡层之间形成三明治结构,当夹层的尺寸小于电子或者空穴的平均自由程时,由于材料能带结构的不同,夹层材料的电子或空穴将被限制在夹层内,好像落入陷阱,这种限制电子和空穴的特殊能带结构被形象地称为“量子阱”。如果周期结构的势垒层很薄,相邻阱之间的藕合很强,这种结构称为超晶格。超晶格中,电子跨越势垒重又实现全域化,类似于晶体中,电子受到多层结构周期势的作用,原来在各量子阱中分立的能级将又扩展成能带 子能带 。而超晶格的周期一般比正常晶体的周期 即材料的晶格常数 大得多,因而超晶格的布里渊区比晶体的布里渊区小的多。 2.3.SiC半导体的性质 SiC半导体是一种高强度、高硬度、耐高温的晶体材料。它具有非常优良的物理、化学及半导体性质。 从晶体化学的观点出发，构成SIC的两种元素Si和C，每种原子被四个异种原子所包围,通过定向的强四面体SP3键结合在一起,并有一定程度的极化。硅的电负性为1.8,碳的电负性为2.5—2.6,由此确定离子性对键合的贡献约为12%—18%。sic晶体具有很强的离子共价键,它具有很高的原子化能值,达到125okJ/mol，这反映了Sic是一种能量稳定的结构。sic具有很高的德拜温度，达到1200—1430K。因此决定了SIC材料对于各种外界作用的稳定性,在力学、热学、化学等方面有优越的技术特性。 SIC化学性质稳定，耐强酸强碱，因而有用SIC作表面防腐蚀层。在SIC表面生成的SiO2层能防止SiC的进一步氧化。在高于1700℃的温度下,这层SiO2熔化并迅速发生氧化反应。SIC能溶解于熔融的氧化剂物质，如熔融的NaZO:或NaZCO3—KNO3混合物。在300OC下可溶于NaOH+KOH。在900—1200℃,SIC与氯气迅速发生化合反应,也能与CCl迅速发生反应,这两种反