半导体器件原理第五章分析.ppt

* 右下角说明，rs的存在降低了有效栅压、漏源电流和跨导，而且rs越大，降低的程度就越大。带’的变量是rs存在的变量，不带‘的是rs=0时的变量。 * * * * 正比与某某的倒数（分母的参数）hxy I=js I=qw 书上不该有j？Hxy * 要保持p阱与n型衬底之间反偏或零偏。此图未画栅极。 * * 在前面推导MOSFET特性时所作的假设就是忽略了若干非理想效应。N沟道MOSFET表面呈现轻掺杂n型材料的特性。 * * * CFB如何推导？根号下为德拜长度 * 此时的C’相当与Cox与Csd’的串联，电容值为倒数相加关系，总电容值取决于小的那个电容（即Csd‘)。 这里给出的能带图实际上是本征状态。 （此处公式笔误错，已改） * 此时耗尽层电荷基本不变，而反型层类似于平板电容的一个极板。 * 将p型曲线水平翻转即得到n型曲线 * xdT是xd的最大值。右上图的dQ’在高频情况下等于0。 * 前面所讲均针对理想C-V特性，即无氧化层电荷、界面陷阱。 * * 条件是正施主能级多于中性施主能级。 * * 条件是负受主能级多于中性受主能级。 * * * * * * * 缓变沟道近似意味着可以忽略纵向电场随x的变化，即Ex为一常数，此近似在氧化层厚度远小于沟道长度的器件中有效。 耗尽层厚度为常数意味着VT与x无关。 * ID的规定正方向是从漏到源，而x的正方向是从源到漏，故有负号。对ID积分时用了迁移率不是x的函数的假设。 * 在电荷公式中，左边二项为正，右边二项为负。 * E1和E2大小相等（均为Ex，根据假设Ex与x无关）、方向相反。E3在硅体内，故为0。E5和E6为沿z方向的电场，不存在故为0。 E3的正方向向上，而Eox的实际方向向下，故有符号出现。S4的长度为W，宽度为dx。 * * 存在漏源电压时，实际加在氧化层二端的电压是栅源电压VGS和x点对源的电压Vx之差。 Qn’有负号（hxy） * * 左图中，黑点是实验数据，线是理论数据。 * 只要将n沟道公式中的VDS、VGS、VT换成VGD、VSG、-VT，即可得到p沟道的公式。注意p沟增强型VT0，而p沟耗尽型VT0。 * 跨导用来表征MOSFET的放大能力 * * * * * 当加在MOSFET上的交流信号幅度远小于直流电压幅度时，为小信号。//Vgs’是有效栅源电压（不计串联电阻引起的栅源电压部分）。 “漏源电容”改为“栅漏电容” hxy * 总的栅源电容和总的栅漏电容等于前面的cgd、cgs乘以栅面积WL。 Cgd “漏源电容”改为“栅漏电容” hxy MOSFET的辐射效应 辐射产生氧化层电荷 辐射产生界面态 x射线、γ射线等离化辐射将SiO2中的电子-空穴对打开，同时产生自由电子和自由空穴 辐射产生的电子在SiO2中很快移出栅极（迁移率～20cm2/V?s） 辐射产生的空穴通过SiO2的随机跃迁缓慢地向Si-SiO2界面移动（迁移率10-4～10-11cm2/V?s） 到达Si-SiO2界面的空穴一部分注入Si中，另一部分被界面附近的空穴陷阱所俘获，呈现正的空间电荷，使VT向负方向移动 离化辐射打开Si-SiO2界面的饱和键，产生界面陷阱。在禁带下部为施主态，上部为受主态，可部分补偿辐射引入的正氧化层电荷对VT的影响 * 辐射产生氧化层电荷:特性1 正栅压下，辐射引入的空穴向硅一侧移动，且栅压VG↑→中途未被复合而最终到达Si-SiO2界面附近且被陷阱俘获的空穴数↑→引入的附加正电荷量↑→平带电压漂移量|ΔVfb|↑ 当Si-SiO2界面附近的空穴陷阱全被占据时，平带电压漂移量趋于饱和 负栅压下，辐射引入的空穴向栅极一侧移动→引入附加正电荷的作用较弱，且基本不随VG的变化而变化 * 辐射产生氧化层电荷:特性2 离化辐射剂量[rad(Si)] p沟道MOSFET：导通电压为负栅压，故辐射产生氧化层电荷的效果弱 n沟道MOSFET：导通电压为正栅压，故辐射产生氧化层电荷的效果强 辐射剂量很高时，辐射引入的界面态产生，阈值电压变化反转。 * 5.2.5 可靠性效应 辐射产生界面态:特性1 亚阈值电流（A） 在亚阈区，ID-VGS曲线的斜率是界面态密度的函数 辐射总剂量越大，则引入的界面态密度越大 不同总离化辐射剂量下的亚阈值电流与栅压的函数关系 * 5.2.5 可靠性效应 辐射产生界面态:特性2 界面态的生成还会受氧化层电场的影响。 离化辐照后，界面态密度逐渐上升，并在100～1000s后才能达到其稳定值 * 5.2.5 可靠性效应 热电子充电效应 在漏区附近的沟道中因雪崩倍增产生的高能电子，有可能受正栅压所产生的纵向电场作用，越过Si-SiO2界面势垒，进入SiO2层中，此电子的能量比热平衡是要高