集成电路设计基复习.docVIP

1. 在P衬底硅片上设计的PMOS管可以分为n+层、SiO2层、多晶硅层、金属层和N井层。 2. 在集成电路设计中，制造厂商所给的工艺中有R□为它成为（方块电阻）。 3. MOS管元件参数中的Cox是栅极单位面积所具有的（电容值）。 4. 对于NMOS而言，工作在饱和区中，其漏电流ID等于（），不能使用β或K来表示。 5. 对于PMOS而言，工作在饱和区中，其漏电流ID等于（），不能使用β或K来表示。 6. 对于工作在饱和区的NMOS而言，其gm等于（），只能有ID和过驱动电压表示。 7. 对于工作在饱和区的NMOS而言，其gm等于（），只能有ID、W、L以及工艺参数表示。 8. 根据MOS管特征曲线划分的四个工作区域，可以作为MOS电阻的区域为（深度三极管区）。 9. 根据MOS管特征曲线划分的四个工作区域中，可以作为电流源的区域为（饱和区）。 10. 对于NMOS而言，导电沟道形成，但没有产生夹断的外部条件为（VDS小于VGS-VTH）。 11. 差动信号的优点，能（有效抑制共模噪声），增大输出电压摆幅，偏置电路更简单和输出线性度更高。 12. 分析MOS共栅放大电路，其电流增益约等于（1）。 13. 差动信号的优点，能有效抑制共模噪声，增大输出电压摆幅，偏置电路更简单和（输出线性度更高）。 14. 共源共栅电流镜如下图所示，当VX电压源由大变小的过程中，M2和M3管，（M3）