模拟电子技术期试卷.docVIP

一、填空题（每空1分，共20分） 1． P型半导体又称为____________型半导体，它由本征半导体掺入____________价元素形成，其多数载流子是____________，少数载流子是____________。 2． 在室温附近，温度升高，杂质半导体中____________的浓度将明显增加。 3． 在PN结的形成过程中，载流子扩散运动是____________作用下产生的，漂移运动是____________作用下产生的。 4． 按照二极管的材料分，可分为_________二极管和锗二极管两种。 5． 稳压二极管稳压工作时，是工作在其特性曲线的___________区。 6． 三极管具有电流放大作用的外部条件是：发射结____________偏置，集电结____________偏置。 7．基本放大电路的非线性失真包括____________失真和____________失真。 8． 图1所示电路，二极管VD1、VD2为理想元件，则UAB 为____________伏。 图1 9． 电路图如图(，RC = 3k(，晶体管β= 20，VCC = 12V。现在该电路中的晶体管损坏，换上一个β= 40的新管子，若要保持原来的静态电流IC不变，且忽略UBE，应把RB调整为____________k(。 图2 10．在某