常用半导体器件及用单元测验(附答案).docxVIP

项目六 常用半导体器件及应用班级姓名成绩一、填空题：（35分）1.制作半导体器件时，使用最多的半导体材料是硅和锗。2.根据载流子数目的不同，可以将半导体分为本征半导体、P型半导体和N型半导体三种。3.PN结的单向导电性是指：加正向电压导通，加反向电压截止。PN结正偏是指P区接电源正极，N区接电源负极。4.半导体二极管由一个PN结构成，它具有单向导电特性。5.硅二极管的门坎电压是0.5V，正向导通压降是0.7V；锗二极管的门坎电压是0.2V，正向导通压降是0.3V。6.半导体稳压二极管都是硅材料制成的。它工作在反向击穿状态时，才呈现稳压状态。7.晶体三极管是由三层半导体、两个PN结构成的一种半导体器件，两个PN结分别为发射结和集电结；对应的三个极分别是发射极e、基极b、集电极c。8.半导体三极管中，PNP的符号是 ，NPN的符号是。9.若晶体三极管集电极输出电流IC=9 mA，该管的电流放大系数为β=50，则其输入电流IB=_0.18_mA。10.三极管具有电流放大作用的实际是：利用基极电流实现对集电极电流的控制。因此三极管是电流控制型器件。11.三极管的输出特性曲线可分为三个区域，即_放大_区，__饱和_区和_截止_区。12.放大电路静态工作点随温度变化而变化，分压式偏置电路可较好解决此问题。13.对于一个晶体管放大器来说，一般希望其输入电阻要大些，以减轻信号源的负担，提高抗干扰能力；输出电阻要小些，以增大带动负载的能力。二、判断题：（10分，将答案填在下面的表格内）题号12345678910答案××√××√√×√×1.P型半导体带正电，N型半导体带负电。（ ）2.半导体器件一经击穿便即失效，因为击穿是不可逆的。（ ）3.桥式整流电路中，若有一只二极管开路，则输出电压为原先的一半。（）4.用两个PN结就能构成三极管，它就具有放大作用。（ ）5.β越大的三极管，放大电流的能力越强，管子的性能越好。6.三极管和二极管都是非线性器件。（ ） 7.三极管每一个基极电流都有一条输出特性曲线与之对应。（ ）8.放大器的静态工作点一经设定后，不会受外界因素的影响。（ ）9.放大器的输出信号与输入信号反相。（ ）10.放大器常采用分压式偏置电路，主要目的是为了提高输入阻抗。（）三、单项选择题：（10分，将答案填在下面的表格内）题号12345678910答案CBBABBABAC1.半导体中传导电流的载流子是（ ）。A.电子B.空穴C.自由电子和空穴D.杂质离子2.P型半导体中的多数载流子是（ ）A.自由电子 B.空穴 C.正离子 D.负离子3.晶体二极管正极电位是-8V，负极电位是-3V，则二极管处于（ ）。A.零偏 B.反偏 C.正偏 D.以上答案都不对4.共射极放大器的输入信号加在三极管的（ ）之间。A.基极和射极 B.基极和集极 C.射极和集极　　 D.电源和基极5.在共射极放大电路中，输出电压与输入电压的关系是（ ）。A.相位相同，幅度增大 B.相位相反，幅度增大 C.相位相同，幅度近似相等 D.幅度增大6.晶体三极管发射结正偏，集电结正偏时，处于（ ）状态。A.放大 　　　 B.饱和 　　　C.截止 D.微导通7.三极管处于放大状态时，其电流分配关系为（ ）。A.B.C.D.8.晶体三极管的穿透电流ICEO的大小体现了三极管的（ ）A.工作状态 B.温度稳定性 C.放大能力 D.质量好坏9.对于NPN型晶体三极管处于放大时各极电位的关系应满足( )。A.B.C.D.10.已知某三极管的极限参数分别为ICM=600mA，PCM=2W，V(BR)CEO=20V，以下哪个工作状态，三极管能正常工作？（ ）A.IC=500mA，VCE=25V B.IC=800mA，VCE=10V C.IC=30mA，VCE=15V D.IC=200mA，VCE=12V四、问答题：（25分）1.如何判定二极管的好坏？（3分）万用表选择R*100或R*1K挡，红黑表笔分别接二极管两管脚测量一次，交换表笔再测量一次。若两次测得的阻值为一大一小，则质量较好；若两次测得的阻值均为∞，则管子内部断路；若两次测得的阻值均为0，则管子内部短路；若两次测得的阻值相差不大，则质量不好。2.当开关闭合后，如图（a）、（b）所示，分别判断二极管和灯的状态。（2分）二极管导通二极管截止（填“导通”或“截止”）指示灯亮指示灯不亮（填“亮”或“不亮”）3.判断下列三极管的工作状态。（6分）放大截止放大截止 饱和饱和 4.