* 边数大于6的晶粒,晶界向内凹进,逐渐长大,当晶粒的边数为6时,处于稳定状态。 不同边数的晶粒中曲率半径的变化 晶界外凸,生长时界面内缩,甚至消失 稳定界面 晶界凹进,生长时界面平直化,逐渐长大 (1)温度 晶界的迁移是热激活过程,晶粒的长大速度正比于e-Q/RT (Q为晶界迁移的激活能),温度越高晶粒长大速度越快,晶粒越粗大 一定温度下,晶粒长到极限尺寸后就不再长大,但提高温度后晶粒将继续长大 * 晶粒长大是通过晶界迁移实现的,所以影响晶界迁移的因素都会影响晶粒长大 (2)杂质与合金元素 杂质及合金元素阻碍晶界运动,特别是晶界偏聚显著的元素 一般认为杂质原子被吸附在晶界可使晶界能下降,从而降低了界面移动的驱动力,使晶界不易移动 当温度很高时,晶界偏聚可能消失,其阻碍作用减弱甚至消失 * (3)第二相质点 弥散分布的第二相粒子阻碍晶界的移动,使晶粒长大受到抑制 当晶界移动驱动力等于分散相粒子对晶界移动所施的约束力时-----极限的晶粒平均直径Dlim(正常晶粒长大停止时晶粒的平均直径) Dlim=4r/3f (9-18) 式中r为分散相粒子半径,f为分散相粒子的体积分数 由公式(9-18)可知,第二相粒子越细小,数量越多,阻碍晶粒长大能力越强 * (4)相邻晶粒的位向差 晶界的界面能与相邻晶
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