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微波反射光电导法测半导体中少数载流子寿命 陈凤翔，崔容强，徐林，孟凡英，孙铁囤，周之斌 （上海交通大学物理系太阳能研究所，上海200240） 摘 要：微波反射光电导法是测量少子寿命的标准方法。本文主要讨论了微波反射光电导实验装置对少子寿命的影响，通过比较两种光源和对测试装置的灵敏度分析来优化实验设备。通过理论分析讨论了两种光照条件――脉冲光照和调制光照下过剩少数载流子分布以及比较两种光源的优缺点。结果发现：调制光源比较容易实现而脉冲光源的测量速度较快。若考虑系统的数据采集速度，应采用脉冲光源。并且通过小注入条件下反射微波信号的变化正比与样品的电导变化引入了灵敏度的概念。对灵敏度的分析中可以发现：在硅片背面的合适位置放置金属反射器可增加实验过程中的灵敏度，即增加实验中的可测信号。 关键词：微波反射光电导法，少子寿命，灵敏度，等价电路模型 0 引 言 半导体材料和半导体结的光电特性对半导体器件的性能起着至关重要的作用，特别是对于光伏器件，过剩载流子的寿命一直受到特别的关注[1]。迄今为止出现了大量测量少子寿命的方法，但大部分方法都需要在半导体材料表面形成有效的结。通常这个制结过程会在材料中引入一些杂质可能导致原始寿命的改变，因此非接触、无损伤地测量半导体材料中少子寿命的方法引起了人们的广泛注意。微波反射光电导（MWPCD）方法就是非接触方法中的典型代表。 用于测量材料的体寿命和