全国计算机技术软件专业技术资格(水平)考试_2011全真模拟试卷(三)上午试题.docVIP

全国计算机技术与软件专业技术资格 水平 考试 全真模拟试卷 三 上午试题 考试时间9∶00～11∶30，共150分钟 1.本试卷的试题中共有75个空格，需要全部解答，每个空格1分，满分75分。2.每个空格对应一个序号，有A、B、C、D四个选项，请选择一个最恰当的选项作为解答。 ●用户最关心的存储器的性能主要有　 1 　。关于常用的只读存储器ROM的正确描述是：　 2 　只能由生产厂家在生产芯片的过程中写入，用户无法改写。　 3 　允许用户写入一次，以后只能读出，不能改写。　 4 　不仅可以由用户写入，而且允许用紫外线擦除已经写入的内容。　 5 　可以直接用电信号按字节改写。 1 A.存储容量、工作速度、价格 B.存储容量、寿命 C.工作速度、价格 D.存储容量、工作速度、寿命 2 A.MROM B.PROM C.EPROM D.EPROM ?【解析】用户最关心的存储器的性能主要有存储容量、工作速度和价格3个参数。存储容量最常用的单位是字节 Byte ，并且要用KB、MB、GB、TB等单位共同来表示1TB＝240B,1GB＝230B,1MB＝220B,1KB＝210B。工作速度用访问周期TC表示，连续启动两次独立的访问存储器操作所需要的最小时间间隔。价格通常用每个二进制位多少美分来表示，即$c/bit。 MROM只能由生产厂家在生产芯片的过程中写入，用户无法改写。 PROM允许用户写入一次，以后只能读出，不能改写。 EPROM不仅可以由用户写入，而且允许用紫外线擦除已经写入的内容。 EPROM可以直接用电信号按字节改写。闪速存储器 flash memory 能够以块为单位改写。 3 A.MROM B.PROM C.EPROM D.EPROM ?【解析】用户最关心的存储器的性能主要有存储容量、工作速度和价格3个参数。存储容量最常用的单位是字节 Byte ，并且要用KB、MB、GB、TB等单位共同来表示1TB＝240B,1GB＝230B,1MB＝220B,1KB＝210B。工作速度用访问周期TC表示，连续启动两次独立的访问存储器操作所需要的最小时间间隔。价格通常用每个二进制位多少美分来表示，即$c/bit。 MROM只能由生产厂家在生产芯片的过程中写入，用户无法改写。 PROM允许用户写入一次，以后只能读出，不能改写。 EPROM不仅可以由用户写入，而且允许用紫外线擦除已经写入的内容。 EPROM可以直接用电信号按字节改写。闪速存储器 flash memory 能够以块为单位改写。. 4 A.MROM B.PROM C.EPROM D.EPROM ?【解析】用户最关心的存储器的性能主要有存储容量、工作速度和价格3个参数。存储容量最常用的单位是字节 Byte ，并且要用KB、MB、GB、TB等单位共同来表示1TB＝240B,1GB＝230B,1MB＝220B,1KB＝210B。工作速度用访问周期TC表示，连续启动两次独立的访问存储器操作所需要的最小时间间隔。价格通常用每个二进制位多少美分来表示，即$c/bit。 MROM只能由生产厂家在生产芯片的过程中写入，用户无法改写。 PROM允许用户写入一次，以后只能读出，不能改写。 EPROM不仅可以由用户写入，而且允许用紫外线擦除已经写入的内容。 EPROM可以直接用电信号按字节改写。闪速存储器 flash memory 能够以块为单位改写。 5 A.MROM B.PROM C.EPROM D.EPROM ?【解析】用户最关心的存储器的性能主要有存储容量、工作速度和价格3个参数。存储容量最常用的单位是字节 Byte ，并且要用KB、MB、GB、TB等单位共同来表示1TB＝240B,1GB＝230B,1MB＝220B,1KB＝210B。工作速度用访问周期TC表示，连续启动两次独立的访问存储器操作所需要的最小时间间隔。价格通常用每个二进制位多少美分来表示，即$c/bit。 MROM只能由生产厂家在生产芯片的过程中写入，用户无法改写。 PROM允许用户写入一次，以后只能读出，不能改写。 EPROM不仅可以由用户写入，而且允许用紫外线擦除已经写入的内容。 EPROM可以直接用电信号按字节改写。闪速存储器 flash memory 能够以块为单位改写。 ●某虚拟存储器共有8个页面，每页为1024个字，实际主存为4096个字，采用页表示法表示地址映像。映像表的内容见表1。 表1　地址映像表 实页码 装入位 3 1 1 1 2 0 3 0 2 1 1 0 0 1 0 0 列出会发生页面失效的全部虚页号为　 6 　。 按现有1023虚地址，下列　 7 　是其对应的主存实地址。 6 A.1,3,5,7 B.3,5,2,7 C.1,2,3,7 D.2,3