第7光检测器探索.pptVIP

为了获得更高响应度，采用APD光电二极管。 工作原理：当光入射到PN结时，光子被吸收产生的一次电子-空穴对在高电场区获得足够能量而加速运动，使晶格原子电离，产生的二次电子-空穴对再和原子碰撞。如此多次碰撞，产生连锁反应，致使载流子雪崩式倍增。 * 结构：对p区、n区进行了重掺杂，并在I区和n区之间引入另一层p区作为碰撞电离区，即增益区（倍增区），以产生二次电子－空穴对。 π区：耗尽区，产生一次电子－空穴对。 P区：增益区，通过雪崩倍增效应，实现光电流放大 * * 图7.13 拉通型雪崩光电二极管的结构 电子-空穴对的产生 倍增区 耗尽区 拉通型APD 器件结构：p+?pn+。 “拉通”:反偏压增大到雪崩击穿电压的90-95%时，耗尽层刚好“拉通”到几乎是本征的?区。 在工作条件下，虽然?区比p区宽得多，其电场也比高场区弱得多，但足以使载流子保持一定的漂移速度，在较宽的区内只需短暂的渡越时间。 这种将吸收区与倍增区溶为一体、而倍增区与漂移区分开的结构特点，使APD既得到内部增益，又可以得到高的量子效率和响应速度。 拉通型雪崩光电二极管是以完全耗尽的方式工作的。光经n+区进入器件，被吸收后产生电子-空穴对，达到pn结处，需要电场的加速，通过倍增机理而发生倍增。 在?区中，电场使产生的电子-空穴对分开。最终在外面的电路上产生光电流，并在负载电阻上产生电压降。 光电二极管中