模拟电子技术基念题--填空题及答案.docVIP

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  • 2016-10-12 发布于贵州
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模拟电子技术基念题--填空题及答案

填空题 二极管: 在半导体中.漂移电流是在 作用下形成的,扩散电流是在 作用下形成的。(电场,浓度差) 二极管最主要的特点是 ;确保二极管安全工作的两个主要参数分别是 和 。(单向导电性,IF,UR) 在室温(27度)时,锗二极管的死区电压约 V,导通后在较大电流下的正向压降约 V;硅二极管的死区电压约 V,导通后在较大电流下的正向压降约 V。(0.1, 0.3, 0.5, 0.7) 二极管的交流等效电阻rd随静态工作点的增大而 。(减小) 硅稳压管稳压电路正常工作时,稳压管工作在 状态。(反向击穿区) 晶体管及放大电路基础: 晶体管从结构上可分成 和 两种类型:根据使用的半导体材料不同可分成 和 管。它们工作时有 和 两种载流子参与导电,常称之为双极型晶体管。(NPN,PNP;硅,锗;电子,空穴) NPN型和PNP型晶体管的区别是 (P区和N区的位置不同) 晶体管的穿透电流ICEO是集—基反向饱和电流ICBO的 倍。—般希望尽量选用ICEO 的管子(1+β,小) 晶体管的电流放大作用是指基极或

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