模电复习资料(选择填空).docVIP

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  • 2016-10-12 发布于贵州
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模电复习资料(选择填空)

判断题 第一章 半导体 1、少数载流子是电子的半导体称为P型半导体。(对) 二极管 1、由PN结构成的半导体二极管具有的主要特性是单向导电性。(对) 2、普通二极管反向击穿后立即损坏,因为击穿是不可逆的。(错) 3、晶体二极管击穿后立即烧毁。(错) 三极管 1、双极型晶体三极管工作于放大模式的外部条件是发射结正偏,集电结也正偏。(错) 2、三极管输出特性曲线可以分为三个区,即恒流区,放大区,截止区. (错) 3、三极管处于截止状态时,发射结正偏。(错) 4、晶体三极管的发射区和集电区是由同一类半导体(P型或N型)构成的,所以极e和c极可以互换使用。(错) 5、当集电极电流值大于集电极最大允许电流时,晶体三极管一定损坏。(错) 6、晶体三极管的电流放大系数β随温度的变化而变化,温度升高,β减少。(错) 场效应管 1、场效应管的漏极特性曲线可分成三个区域:可变电阻区、截止区和饱和区。(错) 第二章 1、技术指标 放大电路的输出信号产生非线性失真是由于电路中晶体管的非线性引起的。 (对) 2、基本放大电路 在基本放大电路中,若静态工作点选择过高,容易出现饱和失真。(对) 3、放大电路的三种组态 射极跟随器电压放大倍数恒大于1,而接近于1。(错) 三种基本放大电路中输入电阻最大的是射极输出器

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