单相全控桥式晶管整流电路的设计(阻感负载)电力电子课程设计 2.docVIP

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  • 2016-10-13 发布于广东
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单相全控桥式晶管整流电路的设计(阻感负载)电力电子课程设计 2.doc

单相全控桥式晶管整流电路的设计(阻感负载)电力电子课程设计 2

注:这只是理论不能原搬的抄 绪 论 电力电子学,又称功率电子学(Power Electronics)。它主要研究各种电力电子器件,以及由这些电力电子器件所构成的各式各样的电路或装置,以完成对电能的变换和控制。它既是电子学在强电(高电压、大电流)或电工领域的一个分支,又是电工学在弱电(低电压、小电流)或电子领域的一个分支,或者说是强弱电相结合的新科学。电力电子学是横跨“电子”、“电力”和“控制”三个领域的一个新兴工程技术学科。电力网供给用户的是交流电,而需要用直流电。整流,利用具有单向导电特性的器件,把方向和大小交变的电流变换为直流电°。但输出脉动大,变压器二次侧电流中含直流分量,造成变压器铁芯直流磁化。为使变压器铁心不饱和,需增大铁心截面积,增大了设备的容量。实际上很少应用此种电路。 根据以上的比较分析因此选择的方案为单相全控桥式整流电路(负载为阻感性负载)。 综上所述,针对他们的优缺点,我们采用方案一,即单相桥式全控整流电路。 1.2元器件介绍 1.2.1 晶闸管(SCR)的介绍 晶闸管(Thyristor)是晶体闸流管的简称,又可称做可控硅整流器,以前被简称为可控硅;1957年美国通用电器公司开发出世界上第一款晶闸管产品,并于1958年将其商业化;晶闸管是PNPN四层半导体结构,它有三个极:阳极,阴极和门极; 晶闸管具有硅整流器件的特性,能在高电压、大电流条件下工作,且其工作过程可以控制、被广泛应用于可控整流、交流调压、无触点电子开关、逆变及变频等电子电路中。 外形有螺栓型和平板型两种封装,引出阳极A、阴极K和门极(控制端)G三个联接端,对于螺栓型封装,通常螺栓是其阳极,能与散热器紧密联接且安装方便,平板型封装的晶闸管可由两个散热器将其夹在中间。 图1.3 晶闸管的外形、结构和电气图形符号和模块外形 a)晶闸管类型b)内部结构c)电气图形符号 1.2.2 晶闸管的工作原理 在分析SCR的工作原理时,常将其等效为两个晶体管V1和V2串级而成。其工作过程如下:UGK0→产生IG→V2通→产生IC2→V1通→IC1↗→IC2↗→出现强烈的正反馈,G极失去控制作用,V1和V2完全饱和,SCR饱和导通。 晶闸管导通后,即使去掉门极电流,仍能维持导通。 图1.4 晶闸管的双晶体管模型及其工作原理 a) 双晶体管模型 b) 工作原理 晶闸管基本工作特性归纳: 承受反向电压时(UAK 0),不论门极是否有触发电流,晶闸管都不会导通;承受正向电压时,仅在门极有触发电流的情况下晶闸管才能开通(即UAK 0,IGK 0才能开通)。 (1)晶闸管一旦导通,门极就失去控制作用; (2)要使晶闸管关断,只能使晶闸管的电流降到接近于零的某一数值以下 。 1.2.3 门极可关断晶闸管(GTO)的介绍 门极可关断晶闸管(Gate-Turn-Off Thyristor—GTO)也是晶闸管(Thyristor)的一种派生器件,但可以通过在门极施加负脉冲使其关断,因而属于全控型器件;它和普通晶闸管一样,也是PNPN四层结构,外部引出三个极,阳极,阴极和门极;工作条件同普通晶闸管;其主要用于兆瓦级以上的大功率场合。 图1.5 GTO的结构、等效电路和图形符号 1.2.4 可关断晶闸管的工作原理 可关断晶闸管也属于PNP四层三端结构,其等效电路与普通晶闸管相同。尽管它与普通晶闸管在结构和触发导通原埋上相同,但两者的关断原理及关断方式却截然不同。普通晶闸管导通后欲使其关断,必须使正向电流低于维持电流IH,或施加反问电压强迫关断。而可关断晶闸管导通后欲使其关断,只要在控制极上加负向触发脉冲即可。这种关断原理上的区别就在于晶闸管导通之后的饱和状态不同。普通晶闸管在导通之后即处于深饱和状态,而可关断晶闸管导通后只处于临界饱和状态,所以只要给控制极上加上负向触发信号即可关断。 单相桥式全控整流电路 此电路对每个导电回路进行控制,无须用续流二极管,也不会失控现象,负载形式多样,整流效果好,波形平稳,应用广泛。变压器二次绕组中,正负两个半周电流方向相反且波形对称,平均值为零,即直流分量为零,不存在变压器直流磁化问题,变压器的利用率也高。 第二章 总体设计方案介绍 2.1总的设计方案 整个设计主要分为主电路、触发电路、保护电路三个部分。 电源 → 变压器→ 整流电路 →负载 ↓变压器→触发电路↑ 2.2主电路的设计 2.2.1整流电路及波形图: 图2

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