各向异性磁电阻巨磁电阻测量.docVIP

实验10.1 各向异性磁电阻、巨磁电阻测量 一. 实验目的 (1) 初步了解磁性合金的AMR，多层膜的GMR，掺碱土金属稀土锰氧化物的CMR； (2) 初步掌握室温磁电阻的测量方法。 二．实验原理 一般磁电阻是指在一定磁场下材料电阻率改变的现象。通常将磁场引起的电阻率变化写成Δρ=ρ（H）-ρ（0），其中ρ（H）和ρ（0）分别表示在磁场H中和无磁场时的电阻率。磁电阻的大小常表示为： 其中ρ可以是ρ（0）或ρ（H）。 绝大多数非磁性导体的MR很小，约为，磁性导体的MR最大为3%~5%，且电阻率的变化与磁场方向与导体中电流方向的夹角有关，即具有各向异性，称之为各向异性磁电阻，简记为AMR。 1988年，在分子束外延制备的Fe/Cr多层膜中发现MR可达50%，并且在薄膜平面上磁电阻是各向同性的。人们把这称之为巨磁电阻，简记为GMR。 1994年，人们又发现隧道结在4.2K的MR为30%，室温达18%，这种大的磁电阻效应，人们将之称为隧道结磁电阻，简记为TMR。 20世纪90年代后期，人们在掺碱土金属稀土锰氧化物中发现MR可达，称之为庞磁电阻，简记为CMR。 1. 各向异性磁电阻(AMR) 一些磁性金属和合金的AMR与技术磁化相对应，即与从退磁状态到趋于磁饱和过程的相应的电阻变化。外加磁场与电流方向的夹角不同，饱和磁化时的电阻率不一样，即有各向异性