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  • 2017-06-08 发布于重庆
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2电路元件伏安特性的测绘

电子与电工技术实验记录 实验项目:电路元件伏安特性的测绘 桌号 同次实验者 实验日期 指导教师 于真 测定线形电阻器的伏安特性 Ur(v) 0 2 4 6 8 10 I(mA) 0.0 2.0 4.0 6.0 8.0 10.0 2测定半导体二极管伏安特性 U v 0.1 0.3 0.5 0.55 0.6 0.65 0.7 0.75 I mA 0.0 0.0 0.30 0.6 1.6 4.2 11.4 34.5 U v 0 -5 -10 -15 -20 -25 -30 I mA 0.0 0.0 0.0 0.0 0.0 0.0 0.0 测定稳压二极管的伏安特性 U(v) 0.1 0.3 0.5 0.55 0.6 0.65 0.7 0.75 I mA 0 0 0 0 0 0.1 0.6 3.3 U v 0 5 10 15 20 Uz v 0 -3.22 -3.73 -3.92 -4.02 I mA 0 9 31.5 55.4 79.6 测定理想电压源的伏安特性 I(mA) 0 10 20 30 40 45 U v 12 12 12 12 12 12 测定电压源的伏安特性 I mA 0 10 20 30 40 45 U v 12 11.57 10.06 10.55 10.04 9.79 电子与电工技术实验报

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