5-第4章磁敏传感器.ppt

第四章 磁敏传感器 磁敏传感器通常是指电参数按一定规律随磁性量变化的传感器。 磁敏传感器主要利用霍尔效应原理和磁阻效应原理构成。 构成磁敏传感器的元件主要有霍尔元件、磁阻元件、磁敏晶体管、磁敏集成电路。 一 磁敏传感器的物理基础 1. 霍尔效应 当电流垂直于外磁场方向通过导体或半导体 薄片时，如图所示，在薄片垂直于电流和磁场 方向的两侧表面之间产生电位差的现象，称为霍 尔效应，其形成的电势称霍尔电势。其霍尔电势 为： 2. 磁阻效应 二 霍尔元件 1 工作原理 2. 结构 霍尔元件的结构由霍尔片、引线和壳体组成。一般采用锗、锑化铟、砷化铟等半导体单晶材料制成。 霍尔片一般用非磁性金属、陶瓷、环氧树脂封装。 3.基本电路 (1) 恒压工作 恒压工作比恒流工作性能要差些，只适用于精度要求不高的地方。 原因：霍尔元件的输入电阻随温度变化和温差电势的影响。 为了保证霍尔传感器的性能，一般采用恒流工作方式。 4. 电磁特性 霍尔元件的电磁特性包括控制电流与输出之间的关系，霍尔输出与磁场之间的关系。 UH-I特性 固定磁场B，在一定温度下霍尔输出电势与控制电流之间呈线性关系。直线斜率为控制电流灵敏度，用KI表示， (2) UH-B特性 固定控制电流，元件的开路霍尔输出随磁场的增加并不完全呈线性关系。通常霍尔元件工作在0.5Wb/m2以下线性度较好，HZ-4霍尔片线性偏离不大于0.2%。 5. 误差分析及误差补偿 （1）不等位电势及补偿 在制作霍尔元件时，不可能保证将霍尔电极焊在同一等位面上，因此，控制电流通过元件时，即使B为零，仍有电势存在，该电势叫不等位电势。此外，霍尔片电阻率不均匀，片厚不均匀等都会产生不等位电势。 （2）温度误差及补偿 由于半导体材料的电阻率、迁移率和载流子浓度等会随温度的变化而变化，因此，霍尔元件的性能参数（内阻、霍尔电势）对温度的变化也是很灵敏的。 6. 霍尔元件的应用 （1）高斯计 如图所示，将霍尔元件垂直置于磁场B中，输入恒定的控制电流I，则霍尔输出电压UH 正比于磁感应强度B，此方法可以测量恒定或交变磁场的高斯数。 （2）电流计 如图将霍尔元件垂直置于磁环开口气隙中，让载流导体穿过磁环，由于磁环气隙的磁感应强度B与待测电流I成正比，当霍尔元件控制电流IH 一定时，霍尔输出电压UH 则正比于待测电流I，这种非接触检测安全简便，适用于高压线电流检测。 （3）霍尔测位移 * * fL fE 将一载流导体置于外磁场中，除了产生霍尔效应外，其电阻也会随磁场而变化。这种现象称为磁阻效应。磁阻效应是伴随霍尔效应同时发生的一种物理效应。 当温度恒定时，在弱磁场范围内，磁阻与磁感应强度B的平方成正比。 对于只有电子参与导电的最简单情况，有： 电阻率的相对变化为： 锑化铟InSb和砷化铟InAs很适合作磁敏电阻元件 3.形状效应 由于磁敏元件的几何尺寸变化而引起的磁阻变化的现象就叫形状效应。电阻率的相对变化与磁感应强度和迁移率的关系可以近似用下式表示： 霍尔常数越大，元件越薄，则霍尔元件的灵敏度越高，一般采用N型半导体薄片做霍尔元件。 I UH ×B (2) 恒流工作 不等位电势的几种补偿方法 IH0 UH I I0 r0 R0 温度补偿电路 采用恒流源供电，补偿电阻是r0，其值为： *