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FIR CENTER セミナー 題目：窒化物半導体の赤外分光　 －窒化インジウムを中心に－ 講師：石谷 善博（千葉大学大学院工学研究科　電子電気系コース?教授） 日時：2011年3月11日 金 10:30～11:30 場所：遠赤外領域開発研究センター 5階コロキウム室 主催：遠赤外領域開発研究センター 世話教員：谷正彦 Tel 直通 ：0776-27-8659 内線 ：2724 窒化物半導体の赤外分光　－　窒化インジウムを中心に－ 石谷善博 窒化物半導体は、青色発光ダイオード（LED）m0程度と見積もられ、GaAsの0.07m0程度に近く、GaNの0.2 m0に比べると小さい。しかし、LOフォノンエネルギーは73meVでGaAsなど従来のIII-V族半導体の30meV程度の値に比べて大きく、GaNの90meVやAlNの110meVに近く、ワイドギャップ窒化物の特徴を有する。このため、キャリア密度や移動度の赤外分光評価において、プラズモンとLOフォノンの結合モードエネルギーは、数百cm-1と中赤外程度の波数領域で計測がしやすい領域にある。本講演では、最近研究が進みつつあるInNの赤外発光、反射分光について述べる。 InNは、ナローギャップであるInAsと同様に表面に電子が蓄積されやすく、その電子密度は1013cm-2台と見積もられている。そのため薄膜ではホール測定による内部領