电子技术基础及验习题1.docVIP

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  • 2016-10-18 发布于贵州
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电子技术基础及验习题1

图1? 图2 图3 半导体二极管习题 ? 一、选择判断题 ??? 1、二极管加正向电压时,其正向是由(??? )。 A:多数载流子扩散形成????? B:多数载流子漂移形成????? C:少数载流子漂移形成 2、PN结反向击穿电压的数值增大,小于击穿电压,(??? ????? A:其反向电流增大????? B:其反向电流减小??? C:其反向电流基本不变 3、二极管反偏时,以下说法正确的是(?? ) A、在达到反向击穿电压之前通过电流很小,称为反向饱和电流;B、在达到死区电压之前,反向电流很小; C、二极管反偏一定截止,电流很小,与外加反偏电压大小无关。 4、?所示电路,二极管导通时压降为0.7V,反偏时电阻为∞,则以下说法正确的是()。 A、VD导通,UAO=5.3V;?? B、VD导通,UAO=-5.3V;C、VD导通,UAO=-6V;?? D、VD导通,UAO=6V;E、VD截止,UAO=-9V。 5、稳压二极管是利用PN结的(??? )。 ???A:单向导电性?? ????B:反向击穿性??? C:电容特性 6、变容二极管在电路中使用时,其PN结是(?? )。 ???A:正向运用??? B:反向运用 E=5V,ui=10sinωtV,二极管的正向压降可忽略不计,试画出输出电压uo ? ? ? 三、如图3所示的电路图中,E=5V,ui=10sinωtV,二极管的正向压降可忽略不计,试画出输出电压uo ? ? 四、如图所示的电路中,已知ui=30sinωtV,二极管的正向压降可忽略不计,试画出输出电压的波形。 ? 五、如图所示的电路中,试求下列两种情况下输出端Y的电位VY元件(R,DADB)中通过的电流;(1)VA=VB=0V;(2)VA=+3V,VB=0V; ? ? 六、如图所示电路中,试求下列几种情况下输出端电位VY及各元件中通过的电流:(1)VA=+10V,VB=0V;(2)VA=+6V,VB=+5.8V; ? ? 七、某二极管的伏安特性如图 (a)所示: ① 如在二极管两端通过1kΩ的电阻加上1.5V的电压,见图(b),此时二极管的电流I和电压U各为多少? ② 如将图 (b)中的1.5V电压改为3V,则二极管的电流和电压各为多少? 提示:可用图解法。 ? ? ? ? ? ? ? 八、假设用万用表的R×10挡测得某二极管的正向电阻为200Ω,若改用R×100挡量测同一个二极管,则测得的结果将比200Ω大还是小,还是正好相等?为什么? 1.5V电池与一个电阻串联。但不同量程时这个串联电阻的值不同,R×10挡时的串联电阻值较R×100挡时为小。 九、已知在图中,u1=10sinωt(V),RL1kΩ,试对应地画出二极管的电流iDu0的波形,并在波形图上标出幅值,设二极管的正向压降和反向电流可以忽略。 ? ? ? ? ? ? ? 十、 在图中,已知电源电压V=10V,R=200Ω,RL=1 kΩ,稳压管的U2=6V,试求: 稳压管中的电流IZ=? V升高到12V,IZ ③当V仍为10V,但RL2 kΩ时,IZ ? ? ? 十一、 如图所示电路中,E=20V,R1=900Ω,R2=1100Ω。稳压管D2UZ=10V,最大稳定电流IZM=8mA。试求稳压管中通过的电流IZIZ是否超过IZM?如果超过,怎么办? ? ? ? ? ? ? ? 半导体三极管习题 一、选择填空 1.当晶体管工作在放大区时,(   )。 A.发射结和集电结均反偏; B.发射结正偏,集电结反偏;C.发射结和集电结均正偏; 2.当超过下列哪个参数时,三极管一定被击穿(  ) A.集电极最大允许功耗PC B.集电极最大允许电流ICM?C.集-基极反向击穿电压U(BR)CBO 3.有一晶体管的极限参数:PCM=150mW,ICM=100mA,U(BR)CEO=30V。若它的工作电压UCE=10V,则工作电流IC不得超过(??? mA;若工作电压UCE==1V,则工作电流IC不得超过(??? )mA;若工作电流IC=1mA,则工作电压UCE不得超过(??? )V。 A.15;?? ?B.100; C.30;? D.150 4.用直流电压表测得放大电路中的三极管的三个电极电位分别是U1=2.8V ,U2=2.1V ,U3=7V , 那么此三极管是(??? )型三极管,U1=2.8V的那个极是(?? ),U2=2.1V的那个极是(??? U3=7V的那个极是(??? )。 A.? NPN

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