1第一章半导体中的电子状态详解.pptVIP

第一章 半导体中电子状态 1.1晶体结构和结合性质 1.2半导体中的电子状态和能带 1.3半导体中电子的运动 有效质量 1.4本征半导体的导电机构 空穴 1.5回旋共振 1.6硅和锗的能带结构 1.6 硅和锗的能带结构 1.6.1 硅的导带结构 1.6 硅和锗的能带结构 1.6.1 硅的导带结构 1.6 硅和锗的能带结构 1.6.1 硅的导带结构 1.6 硅和锗的能带结构 1.6.2 硅的价带结构 价带顶位于k=0，即在布里渊区中心。 价带顶在k=0处二度简并，即同一个k对应两个E(k)，在k=0处，能量相重合，这对应于极大值相重合的两个能带，表明硅有两种有效质量不同的空穴。有效质量较大的空穴，称为重空穴，有效质量较小的空穴，称为轻空穴。 1.6 硅和锗的能带结构 1.6.3 硅的能带结构 1.6 硅和锗的能带结构 1.6.4 锗的能带结构 1.6 硅和锗的能带结构 1.6.5 能带与温度的关系 作 业 课后习题：1,2 补充习题： 1、原子中的电子和晶体中电子受势场作用情况以及运动情况有何不同？原子中内层电子和外层电子参与共有化运动有何不同？ 2、晶体体积的大小对能级和能带有什么影响？ 3、如何理解“回旋共振有效质量 不仅通过 , 和而与能带结构有关，而且还与磁场和等能面主轴之间的相对方位有关”。 碳的同素异形体 　　碳的同素异形体有金刚石、石墨和碳60等富