实验二场效应晶体管(FET)特性参数测量.docVIP

实验二、场效应晶体管（FET）特性参数测量 一、实验设备 （1）半导体管特性图示仪 XJ4810A 型 ，（2）BJT 晶体管（S9014、S8050、S8550）， （3）二极管（1N4001） 二、实验目的 1、 熟悉 BJT 晶体管特性参数测试原理； 2、掌握使用半导体管特性图示仪测量 BJT 晶体管特性参数的方法； 3、学会利用手册的特性参数计算 BJT 晶体管的混合π型EM1 模型参数的方法。 三、MOS 晶体管特性参数的测量原理 1、实验仪器 实验仪器为场效应管参数测试仪 BJ2922B ，与测量双极晶体管直流参数相似，但由于所检测的场效应管是电压控制器件，测量中须将输入的基极电流改换为基极电压，这可将基极阶梯选择选用电压档（伏/级）；也可选用电流档（毫安/级），但选用电流档必须在测试台的B-E间外接一个电阻，将输入电流转换成输入电压。? 测量时将场效应管的管脚与双极管脚一一对应，即?G（栅极）?B（基极）；?S（源极）??E（发射极）；?D（漏极）??C（集电极）。 值得注意的是，测量MOS管时，若没有外接电阻，必须避免阶梯选择直接采用电流档，以防止损坏管子。?另外，由于场效应管输入阻抗很高，在栅极上感应出来的电荷很难通过输入电阻泄漏掉，电荷积累会造成电位升高。尤其在极间电容较小的情况下，常常在测试中造成MOS管感应击穿，使管子损坏或指标下降。因而在检测MOS管时，应