高一电子技术基础期中试题.docVIP

  • 63
  • 1
  • 约3.03千字
  • 约 3页
  • 2017-06-08 发布于重庆
  • 举报
高一电子技术基础期中试题

高一电子技术基础期中试题 试题说明:将选择题的答案填写到答题卡上,否则选择题不给分,交卷时只交答题纸 单项选择题 1.用于制造半导体器件的半导体材料是:() A.磷 B.硅 C.铜 D.银 2.在纯净半导体中掺入3价元素形成的是()型半导体 A.空穴型 B.N C.PN D.电子型 3.P型半导体中,多数载流子是() A.空穴 B.电子 C.电子空穴对 D.原子核 4.晶体二极管内部是由()所构成的。 A.一个PN结 B.俩个PN结 C.两块N型半导体 D. .两块P型半导体 5.硅二极管的导通压降为() A.0.2V B.0.5V C.0.7V D.0.3V 6.锗二极管的VT为() A.0.2V B.0.5V C.0.7V D.0.3V 7.若把二极管直接同一个电动势为1.5V,内阻为0的电源实行正向连接,则该管() A.电流为0 B.击穿 C.过流损坏 D.截止 8.半波整流电路的变压器二次侧电压为10V,其负载上的直流电压为() A.9V B.4.5V C.2.2V D.2.2V 9.桥式整流电路输出的直流电压为变压器二次侧电压有效值的()倍 A.0.45 B.0.707 C.1.414 D.0.9 10.在桥式整流电路中,若有一只整流二极管开路,则() A.可能烧毁元件 B.输出电流变大 C.电路变为半波整流 D.输出电压为0

您可能关注的文档

文档评论(0)

1亿VIP精品文档

相关文档