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PN结的导电性 西南大学材料科学与工程学院 * 如果电源的正极接P区，负极接N区，外加的正向电压有一部分降落在PN结区，PN结处于正向偏置。 电流从P型一边流向N型一边，空穴和电子都向界面运动，使空间电荷区变窄，电流可以顺利通过，方向与PN结内电场方向相反，削弱了内电场。 于是，内电场对多子扩散运动的阻碍减弱，扩散电流加大，PN结呈现低阻性。 正向导通 PN结的导电性 西南大学材料科学与工程学院 * 如果电源的正极接N区，负极接P区，外加的反向电压有一部分降落在PN结区，PN结处于反向偏置。 空穴和电子都向远离界面的方向运动，使空间电荷区变宽，电流不能流过，方向与PN结内电场方向相同，加强了内电场。 内电场对多子扩散运动的阻碍增强，扩散电流大大减小，PN结呈现高阻性。 反向截止 PN结的伏安特性 PN结的伏安特性最主要特点就是单向导电性。 西南大学材料科学与工程学院 * 正向导通，反向截止 PN结是几乎所有半导体器件的基本单元。 半导体电学性能的应用 1、热敏电阻 根据半导体的电阻值随温度的升高而迅速下降的现象制成的半导体器件，称为热敏电阻(thermosensitive resistance) 。 热敏电阻有体积小，热惯性小，寿命长等优点，已广泛应用于自动控制技术。 2、光敏电阻 半导体硒，在照射光的频率大于其红限频率时，它的电阻值有随光强的增加而急剧减小的现象。利用这种特性制成的半导体器件称为光敏电阻(photosensitive resistance)。 光敏电阻是自动控制、遥感等技术中的一个重要元件。 西南大学材料科学与工程学院 * 半导体电学性能的应用 3、温差热电偶 把两种不同材料的半导体组成一个回路，并使两个接头具有不同的温度，会产生较大的温差电动势，称为半导体温差热电偶。温度每差一度，温差电动势能够达到、甚至超过1毫伏。 利用半导体温差热电偶可以制成温度计，或小型发电机。 西南大学材料科学与工程学院 * 光生伏特效应-Photovoltaic 用适当波长的光照射非均匀半导体，例如P-N结和金属-半导体接触等，由于势垒区中内建电场（也称为自建电场）的作用，电子和空穴被分开，产生光生电流或者光生电压。 西南大学材料科学与工程学院 * 这种由内建电场引起的光-电效应，称为光生伏特效应。 利用光电效应可以制成太阳能电池，直接把光能转换成电能，这是它最重要的实际应用。另外，光生伏特效应也广泛应用于光电探测器。 光伏效应应用 西南大学材料科学与工程学院 * 半导体的应用 西南大学材料科学与工程学院 * 半导体材料主要发展趋势 西南大学材料科学与工程学院 * Si单晶作为主要半导体材料，其大直径化的进程仍将继续。直径450mm单晶已列入发展规划，直径680mm（27in）的单晶研制也已列入议事日程，微电子器件用GaAs、InP等也不断使用大直径晶片。 对大尺寸（Si）晶片的几何尺寸精度和晶片表面质量要求越来越高，从而促进超精细晶片加工技术的发展。 1、晶片尺寸更大 半导体材料主要发展趋势 西南大学材料科学与工程学院 * 1989年推出的英特尔486处理器采用1微米工艺技术，当前国际主流生产技术为0.25～0.35μm，先进生产技术为0.13～0.10μm，90nm技术已开始投入小批量生产，并研究成功65 nm技术。2010年采用45nm 技术，按照国际半导体产业发展路线图（ITRS）预测2016年和2018年将分别发展到22nm和18nm，预计在2020年有望达到16nm 。 2、 线宽更小 半导体材料主要发展趋势 西南大学材料科学与工程学院 * 传统半导体材料中大部分采用的是硅，新型半导体材料如氮化镓、碳化硅、硒化锌的发展将极大丰富半导体材料的应用领域。 3、新材料 量子（阱、线、点）结构半导体材料的研制向实用化发展，使“能带工程”用于生产实践。通过对半导体材料和相应器件设计的人工“裁剪”，必将研制出更多、更高性能的新颖（电子、光电子等）功能器件。 半导体材料主要发展趋势 西南大学材料科学与工程学院 * 封装技术对于降低成本和功耗非常重要。芯片制造商通过封装技术创新使产品微型化。 封装的关键新能要求包括插脚数目、电板空间密度的最大化及散热效果。有些技术如芯片比例封装（CSP）提供的封装仅为芯片尺寸的120%。由于提高速度通常意味着更容易散热，因此散热效果很重要 。 4、新的封装技术 先进半导体材料主要发展趋势 西南大学材料科学与工程学院 * 随着通信的发展，半导体工业涉及范围越来越广，包括信号处理、模拟、功率管理和集成。混合信号技术和混合工艺技术的实力也越来越重要。 5、技术要求范围扩大 结束 西南大学材料科学与工程学院 * 首先考虑如图a所示的情况，此时这个车站的底层完全被汽车