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关于电解电容的一点理解 电解电容：通常采用铝电解电容 1、主要技术指标： ①额定电压VR (Rated Voltage) 设计电容时设计的而且表示电容上的直流电压 ②工作电压VEP 电容可以在额定电压下，额定工作范围内连续工作 ③浪涌电压VS（Surge Voltage） 短时间内可以加在电容上的最大电压。（每小时5次，每次一分钟） IEC60384-4 意义：VR≤315V VS≈1.15 VR VR＞315V VS=1.1 VR ④纹波电压 施加在电容上的交流成分，纹波电压加上给电容施加的工作电压不允许超过额定电压。 ⑤额定容量CR ：电容设计和标示的交流电容值 EPCOS定义CR单位为uF,在100Hz 20℃时测得 ⑥漏电流Ileak： 由于铝电解电容的特殊特性，其铝氧化层也充当绝缘层，在直流电压施加很长时间后，还有一个小电流会连续流过电容。 ⑦纹波电流：（Repple Current）用rms值来表示流过设备的交流电流 I=2πfcv 2、使用时应注意：电解电容一般使用在低频场合，做滤波支撑直流电压等作用。使用时应注意以下几点： ①工作电压：要考虑纹波电压，两者之和小于额定电压 ②纹波电流：厂家一般都会标识出来，在一定温度一定频率下测得，使用时纹波电流过大（纹波电压过大引起），直接影响电容的温升情况，同时影响电容的寿命。 ③电解电容的寿命：目前只有两种 85℃ 2000小时 105℃ 2000小时 ④漏电流：跟温度有很大关系，一般与温升呈指数变化。目前电解电容串联，选择均压电阻(流过的电流) 参考EPCOS：GP级（General purpose grade） Ileak.op=VR+3uA 20℃ 随温度： 50℃ 4倍（20℃） 60℃ 5倍（20℃） 70℃ 6倍（20℃） 85℃ 10倍（20℃） 选择均压电阻电流，大于4—10倍，可以根据均压电阻流过电流与功耗折中考虑 ⑤电解电容串并联，推荐每个电容都并电阻，如图1。图2接法有一个缺点：当一组并联的电容失效导致短路，这样整个母线电压被加在其他电容上，可导致电压过高而损坏整个电容组。 推荐用法 图1 不推荐用法图2 无感吸收电容 现在主要应用有三类：一是并联在电解电容之后，吸收高频成分，以缓解电解电容上的纹波电流过大（GBT离电解电容距离过大）；二是并联在IGBT上，连接在正负母线之间，做IGBT滤波吸收之用；三也是并联在IGBT上，与电阻串联，构成RC吸收，也做动态均压功能。 1、针对这些电容也有几个指标要注意： ①额定电压：VR 可连续工作的电压 ②耐电压：对金属膜无感电容，标准要大于1.5倍额定电压 ③有效电流：I=2πfcv 厂家一般测试方法是：在一定频率下，通过标示的额定电流，连续工作一段时间，温升不超过25℃，即为达标。 ④峰值电流（脉冲电流、冲击电流） 对吸收电容来说，这是很重要的指标 Ipeak. =c，其它技术指标可参考产品手册 2、针对三种应用，应注意： ①第一种应用并联在电解电容之后：我们现在主要用创格的50uF/1200V；CDE的3uF/1200V；常州常捷的3uF/1200V。我认为在这种场合使用，要注意额定电压外还有有效值电流要大些，要是靠电解电容近一些，有效电流要替电解电容分担，要是靠IGBT近些，要注意值是否合适？ ②第二种与第三种的应用，主要产品CDE的3uF/1200V；常州常捷的3uF/1200V，还有专用滤波吸收方块电容，特别要注意指标。我认为CDE的3uF/1200V；常州常捷的3uF/1200V不适合做滤波吸收之用，它们的值较小。 3、针对吸收电容的计算，我个人的一点理解： ①对于半桥IGBT吸收，仅用C作吸收的场合。当有一个IGBT关断时，电容上的跳变为IGBT关断时所产生的过电压尖峰（我个人认为，不知是否正确）这样考虑的话，一般值不会超过500V。 电容的选取可依据：, L为引线电感；△V=Vp-E (VCE最大值减母线电压)。 ②对于RC吸收的电路，如图1 峰值电流 V为IGBT关断时电压 因此电容的值需要很大。 一般电阻选取：,电阻消耗的功率与阻值无关，与电容储存