原子沉积技术-陈蓉-DZ-modified研究报告.pptVIP

ALD制备的薄膜 II-VI化合物 ZnS, ZnSe, ZnTe, ZnS1-xSex, CaS, SrS, BaS, SrS1-xSex, CdS, CdTe, MnTe, HgTe, Hg1-xCdxTe, Cd1-xMnxTe II-VI基TFEL磷光材料 ZnS:M (M=Mn, Tb, Tm), CaS:M (M=Eu, Ce, Tb, Pb), SrS:M (M=Ce, Tb, Pb, Mn, Cu) III-V化合物 GaAs, AlAs, AlP, InP, GaP, InAs, AlxGa1-xAs, GaxIn1-xAs, GaxIn1-xP 氮（碳）化物 半导体/介电材料 AlN, GaN, InN, SiNx 导体 TiN(C), TaN(C), Ta3N5, NbN(C), MoN(C) 氧化物 介电层 Al2O3, TiO2, ZrO2, HfO2, Ta2O5, Nb2O5, Y2O3, MgO, CeO2, SiO2, La2O3, SrTiO3, BaTiO3 透明导体/半导体 In2O3, In2O3:Sn, I2O3:F, In2O3:Zr, SnO2, SnO2:Sb, ZnO, ZnO:Al, Ga2O3, NiO, CoOx 超导材料 YB2Cu3O7-x 其他三元材料 LaCoO3, LaNiO3 氟化物 CaF,