光辐射的调制汇编.ppt

第七章 光辐射的调制 7.1 机械调制 7.2 电光调制 7.3 声光调制 7.4 磁光调制 7.1 机械调制 7.2 电光调制 在强电场作用下介质折射率改变而产生的光调制。适用于单色光源。 7.3 声光调制 利用超声波引起介质折射率变化而产生的光调制。 7.4 磁光调制 一、磁光效应 与X轴对应的主折射率： 与Y轴对应的主折射率： 式中，no为KDP晶体o光折射率， 为电光系数。 X、Y方向两偏振光射出晶体时有光程差: 则相位差为： 半波电压 : 造成光程差 2. 的横向电光效应 光传播方向与电场方向垂直 对KDP晶体采用45°-Z切。强电场E//Z轴,KDP变为双轴晶体。入射光沿X轴方向进入晶体，其偏振方向与Z、Y成45°，在晶体中分解为Z、Y方向两个振幅相同的线偏振光。 与Z轴对应的主折射率： 与Y轴对应的主折射率： 式中ne是晶体e光折射率，E=U/d，U为外加电压。 两个线偏振光射出晶体时有光程差： 则相位差为： 消除自然双折射 横向电光效应的优点： 适当地增加 L/d ，就可以增强电光效应的作用而降低晶体上所需的电压；电极设在横向，不影响光的传播；在外加电压 U一定时，加长晶体通光长度并不影响晶体内的电场强度，因而可以加长晶体长度获得较大的相位延迟。 半波电压 为: 通常，纵向 是数千伏，横向 只是数百伏。 3.电光晶体材料 用于线性电光效应的电光晶体，除要求电光效应强以外，还需综合考虑： 对使用的波段要有较高的透过率；光学均匀性好、耐压高；对光波和调制波的损耗小；折射率随温度的变化较小； 化学性质稳定，易于获得大尺寸晶体等。 、 在可见和近红外区主要有KDP类晶体、LiTaO3、LiNbO3、KTN等。 在中红外区有GaAs、Cucl、CdTe等。 KDP类晶体、LiNbO3（LN）晶体应用广泛。 见表2.1 二、电光强度（或振幅）调制 在Pockels效应中，通过晶体的两正交线偏振光形成了固定的相位差δ。 在晶体的光输出端后置检偏器P2， 使N2⊥N1。 透过检偏器P2的光强I2便受到电信号的调制。 横向电光调制装置 分析横向电光调制： 入射光(光强I1）进入晶体， 其振幅A1分解成Az、Ay： 两线偏振光到达检偏器，能透过P2的光振幅： 这两个线偏振光射出晶体，有固定相位差： 二者有固定相位差π+δ， 则通过P2的光强： 式中， 的关系曲线 选取工作点： 若要得到光强随时间正弦变化的调制光, 可使调制电压为： 则有： 式中， 可在光路中插入 波晶片，取代 则只需在晶体上加调制电压 就可得到正弦调制光强。 是声音、图像、数据电信号， 若 则有 泡克尔斯（Pockels）电光调制器线性好，性能稳定，可得到很高的调制频率。 三、电光相位调制 在电光效应装置图2.6、图2.7中，若使起偏器透光方向N1与双轴晶体的其中一个光轴平行，则仅是一个线偏振光通过晶体，其位相被电信号调制。 在右图中，若 Y偏振光的折射率 ， 在晶体入射面处光场为 则光通过晶体后的光场： 式中，略去常数相位因子： 则 可见，该光波的位相因子受电压U影响。 设U为正弦调制电压 令 则有： 可见，该输出光波的位相受到电信号的调制。 四、电光调制的频率特性（不讲） 实际应用中，需要电光调制器达到高的调制频率和足够宽的调制带宽。影响调制频率和调制带宽的主要因素为： 1.光在晶体中的传输时间 当调制频率很高时，在 的时间内，外电场 会发生可观的变化。光通过晶体的不同部位时，其相位延迟不同，这就限制了调制频率。 2.晶体谐振电路的带宽 实用中，电光调制器构成谐振电路： 调制波与光波以相同速度在晶体中传播，调制频率可达几个 。 为了适应高频率宽频带调制信号的要求，采用行波调制器。 调制带宽仅在ω0 附近的有限频带内。 五、光波导调制器 晶体制作的电光调制器属于体调制器，需要施加相当高的电压，才能实现电光调制。 光波导调制器可以把光场限制在很小的区域里，从而大大降低所需要的调制电压和调制功率。 光波导宽度d 极窄，远小于长度 L。采用横向电光调制，半波电压可为几伏。 调制频率可达100GHz。 相位调制器 M-Z干涉型强度调制器 定向耦合器型强度调制器 在高速光通信中有很好的应用价值 研究动向：用聚合物来形成各向异性材料。 一、声光效应 适用于单色光源 驱动电源 电-声换能器 声光介质 形成声光栅，栅距 声光效应分为两种类型： 入射光波被声光栅衍射，衍射光的强度、频率、方向等都随超声场变化。这就是声光效应。 拉曼-奈斯衍射 布拉格衍射