半导体物理2013(第九章)概要.ppt

第9章 异质结9.1 异质结的基本概念 异质结是由两种不同晶体材料形成的半导体结 同型异质结：同种导电类型材料构成的异质结（n-nGe-Si，p-pGe-GaAs） 反型异质结：相反导电类型材料构成的异质结（p-nGe-GaAs） 异质结的形成条件：要有相近的晶体结构和晶格常数。 9.1 异质结的基本概念 异质结的分类——突变型异质结和缓变型异质结 突变型异质结：转变区或过渡区小于等于数个原子间距的异质结 缓变型异质结：转变区大于数个扩散长度的异质结 9.2 异质结的能带图 突变异质结的研究比较成熟 异质结的能带图比同质结复杂（禁带宽度，电子亲合能，功函数，介电常数和晶格常数差异） 由于晶体结构和晶格常数不同，在异质结结面上形成的界面态增加了复杂性 9.2.1 不考虑界面态的能带图 1 突变反型异质结能带图 9.2.1 不考虑界面态的能带图 能带总的弯曲量就是真空电子能级的弯曲量，即 式中VD称为接触电势差（或称内建电势差、扩散电势）,它等于两种半导体材料的功函数之差(W1-W2)与电子电荷比值。而VD1,VD2分别为交界面两侧的p型半导体和n型半导体中的内建电势差。 9.2.1 不考虑界面态的能带图 2 异质结的形成过程与同质结相似，与同质结不同之处 （1）自建电场在界面处发生不连续 （2）能带在界面处不连续，能带在界面处的突变形成“尖峰”和“凹口” 导带