复旦集成电路工艺课件-01解析.ppt

*/43 双扩散台面（MESA）晶体管 气相扩散 图形化-腐蚀 */43 平面工艺发明人：Jean Hoerni －－ Fairchild 1958-1960: 氧化 p－n结隔离 Al的蒸发 …… */43 扩散 光刻 氧化 掩蔽 */43 平面工艺基本光刻步骤 光刻胶 掩膜版 */43 应用平面工艺可以实现多个器件的集成 */43 Actual cross-section of a modern microprocessor chip from IBM W Cu */43 IC技术发展历程 1960s BJT 气相掺杂＋外延 p-n结隔离 6－8次光刻 */43 IC技术发展历程 1970s E/D NMOS LOCOS隔离技术 LOCal Oxidation of Silicon 耗尽型NMOS面积减小，集成度提高 光刻版数量与BJT相近 E D */43 IC技术发展历程 1980s CMOS 低功耗、散热 集成度提高 12～14块光刻版 */43 最简单的IC CMOS工艺举例 反相器 或非门 */43 IC技术发展历程 1990s BiCMOS CMOS实现高集成度的内部电路 BJT实现输出驱动电路 光刻版20块 CMOS BJT */43 本节课主要内容 CMOS工艺： 光刻、氧化、扩散、刻蚀等 硅技术的历