第三章大规模集成电路基础总论.pptVIP

无比反相器： 负载MOSFET驱动MOSFET交替导通， 不需两晶体管保持一定的比例：无比反相器 评价CMOS反相器性能的主要指标有： 1.输出高电平 2.输出低电平 3.反相器阈值电压 4.直流噪声容限 5.直流功耗 6.瞬态特性 7.芯片面积 8.工艺难度和兼容性 9.稳定性和瞬态功耗等 噪声容限：数字电路的阈值与输入信号或输出信号电压 电平的差值。 3. 开关串/并联的逻辑特性 1）串联 G＝G1● G2 “与” 2）并联 G＝G1＋G2 “或” 4. 传输门与逻辑 输出有“0”、“1”、“U”（不定状态）三种可能 5. 存储器 1）只读存储器（Read-Only-Memory，简称ROM） 只能读取数据，无法改变存储内容。 2）随机存取存储器（Random-Access Memory，简称RAM） 可随时将外部信息写入任一存储单元，并可随意读取任一存储单元的信息，但断电后，存储信息丢失。 3）可编程只读存储器（Programmable Read-Only-Memory，简称PROM） 使用时与ROM一样，但可改写存储数据，存储新的内容。 例：CMOS反相器 Vi输入低电平，只有PMOS导通，VO＝VDD （逻辑1） Vi输入高电平，只有NMOS导通，VO＝VSS （逻辑0） 3.3 CMOS集成电路 3.3 CMOS集成电路 CMOS开关 单沟道MOS开关在高电平时，存在阈值损失。 对负载电容充电时，输出电压上升速度较慢。 VGN与VGP是反相的 CMOS开关的直流传输特性 2. CMOS开关 由一对互补MOSFET组成的CMOS反相器 1）当VI＝VDD时，NMOSFET导通，PMOSFET截止 VO＝0 下拉管 2）当VI＝0时， PMOSFET导通，NMOSFET截止 VO＝ VDD 上拉管 3. 静态CMOS逻辑门 与非门 或非门 与非门： 1）A1、A2有一个为0，或都为0，至少有P管导通，输出逻辑1。 2） A1、A2都为1，N管导通，输出 逻辑0。 或非门： 1）A1、A2都为0，P管导通，输出 逻辑1。 2） A1、A2有一个为1，或都为1， N管导通，输出逻辑0。 小结：双极晶体管 基区 Base ，基区宽度Wb 发射区 Emitter 收集区 Collector NPN，PNP 共发射极特性曲线 放大倍数?、? 特征频率fT 小结：MOS晶体管 沟道区 Channel ，沟道长度L，沟道宽度W 栅极 Gate 源区/源极 Source 漏区/漏极 Drain NMOS、PMOS、CMOS 阈值电压VT，击穿电压 特性曲线、转移特性曲线 泄漏电流 截止电流 、驱动电流 导通电流 小结：器件结构 双极器件的纵向截面结构、俯视结构 CMOS器件的纵向截面结构、俯视结构 CMOS反相器的工作原理 IC：有源器件、无源器件、隔离区、互连线、钝化保护层 习 题 画出N沟MOSFET的截面图和俯视图 画出双极晶体管的截面图和俯视图 画出CMOS与非门及或非门的电路图，并说明工作原理 第三章 大规模集成电路基础 3.1 半导体集成电路概述 3.2 双极集成电路基础 3.3 MOS集成电路基础 3.4 BiMOS集成电路基础 3. 1半导体集成电路概述 集成电路（Integrated Circuit，IC） 芯片（Chip, Die） 硅片（Wafer） 集成电路的成品率： Y 硅片上好的芯片数 硅片上总的芯片数 100% 成品率的检测，决定工艺的稳定性， 成品率对集成电路厂家很重要。 集成电路发展的原动力：不断提高的性能/价格比 集成电路发展的特点：性能提高、价格降低 集成电路的性能指标： 集成度 速度、功耗 特征尺寸 可靠性 主要途径：缩小器件的特征尺寸 增大硅片面积 功耗 延迟积 集成电路的关键技术：光刻技术 深紫外光DUV： 157nm?–?250nm 缩小特征尺寸：0.25 mm → 0.18 mm → 0.13 mm 增大硅片直径：8 英寸 → 12 英寸 → 16 英寸 亚0.1mm：一系列的挑战， 亚50nm：关键问题尚未解决 新的超细线条光刻技术： EUV（ 甚紫外线光刻： 11nm?–?14nm ） SCAPEL Bell Lab. 的限角度散射电子束投影曝光技术 X-ray （ X射线光刻 ： 10nm ） 集成电路的制造过程： 设计 工艺加工 测试 封装 定义电路的输入输出（电路指标、性能） 原理电路设计 电路模拟 布局 考虑寄生因素后的再模拟 原型电路制备 测试、评测 产品 工艺问题 定义问题 不符合 不符合 集成电路产业的发展趋势： 独立的设计公司（Design House） 无晶圆公司（Febless） 独立的