电工学第8章半导体器件课件.pptVIP

（一）稳压二极管 IF UF 0 正向特性 反向击穿区 UZ IZmin IZmax DZ 正极 负极 符号 伏安特性 1 .伏安特性、符号及主要参数 8.3 特殊二极管 第8章 8? 3 IF UF 0 UZ IZmin IZmax 硅稳压管的主要参数 ? 稳定电压 UZ ? 最小稳定电流 IZmin ? 最大稳定电流 IZmax ? 动态电阻 rZ ?IZ ?UZ rZ = ?IZ ?UZ ? 电压温度系数 ?VZT ? 最大允许耗散功率PM 第8章 8? 3 在规定的稳压管反向工作电流IZ下，所对应的反向工作电压。 Izmin ——电流低于此值时，稳压性能变坏 IZmax ——电流高于此值时，二极管会损坏 功率高于此值时，二极管会因结温升高 而损坏。 Uo u2 RL Io u1 C DZ R UZ IR IZ Ui u2 Ui Uo = UZ IZ IR UR Uo A、稳压管稳压电路的工作原理 2 .硅稳压管稳压电路 RL Io IR UR Uo (= UZ ) IZ UR Uo Ui =UR+UO Ui =UR+UO 第8章 8? 3 B、电路元件参数的选择 稳压管 UZ=UO Izmax=(2 -- 3)Iomax Uimax -Uo Izmax + Iomin R Uimin-Uo Izmin + Iomax P (Uimax -Uo) 2 R 限流电阻 注意： （1）在稳压电路中，稳压管通常为反接； （2）使用稳压管时必须串联电阻。 第8章 8? 3 整流 滤波 t o u t o u t o u t o u t o u 稳压 负载 直流稳压电源的结构框图 变压 交流电源 第8章 8? 3 （二）光电二极管 工作于反向偏置状态，无光照时，电路中电流很小； 有光照时，电流会急剧增加。 E D RL （三）发光二极管 工作于正向偏置状态，正向电流通过时，它会发出 光来。 E D RL 第8章 8? 3 （一） 三端集成稳压器的电路符号 + + 2 cw7800 3 1 1 3 _ 2 _ cw7900 正输出 负输出 特点：体积小、使用方便，内部有过电流和过热保护 电路，使用安全可靠。 8.4 集成稳压器 第8章 8? 4 （二） 三端集成稳压器基本稳压电路 UO = 12V CW7812 1 2 3 CO + + Ui Ci 可根据需要，选用CW78XX，则 Uo= XX V。 Ci 抵消输入端接线较长时的电感效应，防止产生振荡 Co 防止负载电流瞬时增加时，引起输出电压较大的波动 0.33?F 0.1?F 第8章 8? 4 （三）同时输出正、负电压的稳压电路 CW7915 CW7815 Ci Ci Co Co +15V -15V Ui UO1 UO2 选用不同稳压值的78XX和79XX，可构成 同时输出不对称正、负电压的稳压电路。 1 2 3 1 2 3 + + + + 2.2?F 1?F 第8章 8? 4 （四）提高输出电压的稳压电路 UO CW7824 1 2 + + 3 Ui Ci CO DZ UZ R 输出电压 UO = UXX + UZ UXX UXX 第8章 8? 4 （一）基本结构 内部有电子和空穴两种载流子参与导电的晶体管 8.5 双极型晶体管 1? NPN型 N N P C B E C E B 集电极 基极 发射结 集电结 发射区 集电区 基区 发射极 NPN型晶体管的结构示意图 NPN型晶体管的图形符号 基区浓度小、很薄。 发射区浓度大， 发射电子。 集电区尺寸大，收集 电子，浓度低。 第8章 8? 5 （一）基本结构 8.5 双极型晶体管 2? PNP型 P P N C B E C E B 集电极 基极 发射结 集电结 发射区 集电区 基区 发射极 PNP型晶体管的结构示意图 PNP型 晶体管的图形符号 按半导体材料的不同分 为锗管和硅管，硅晶体 管多为NPN型，锗晶体 管多为PNP型。 第8章 8? 5 结构特点： ? 发射区的掺杂浓度最高； ? 集电区掺杂浓度低于发射区，且面积大； ? 基区很薄，一般在几个微米至几十个微米，且掺杂浓度最低。 管芯结构剖面图 第8章 8? 5 发射区向基区 扩散电子 IE IB 电子在基区 扩散与复合 集电区收集电子 电子流向电源正极形成 IC IC RC RB UBB N P N 电源负极向发射 区补充电子形成 发射极电流IE UCC （二）三极管的电流控制原理 EB正极拉走电 子，补充被复 合的空穴，形 成 IB 第8章 8? 5 由于