第六章气相沉积技术解析.ppt

第六章 气相沉积技术 气相沉积技术是一种发展迅速，应用广泛的表面成膜技术，它不仅可以用来制备具有各种特殊力学性能（如超硬、高耐蚀、耐热和抗氧化等）的薄膜涂层，而且还可以用来制备各种功能性薄膜材料和装饰性薄膜涂层等 。自从20世纪70年代以来，薄膜技术和薄膜材料的发展突飞猛进，成果累累，已经成为当代真空技术和材料科学中最活跃的研究领域，它们与包括光刻腐蚀、离子刻蚀、反应离子刻蚀、离子注入和离子束混合改性等在内的微细加工技术一起，成为微电子工业乃至信息工业的基础工艺。 气相沉积可分为物理气相沉积（Physical Vapor Deposition,简称PVD）和化学气相沉积（Chemical Vapor Deposition,简称CVD）。 现在，气相沉积技术不仅可以沉积金属膜、合金膜，还可以沉积各种各样的化合物、非金属、半导体、陶瓷、塑料膜等。换句话说，按照使用要求，现在几乎可以在任何基体上沉积任何物质的薄膜。这些薄膜及其制备技术除大量用于电子器件和大规模集成电路制作之外，还可以用于制取磁性膜及磁记录介质、绝缘膜、电介质膜、压电膜、光学膜、光导膜、超导膜、传感器膜和耐磨、耐蚀、自润滑膜、装饰膜以及各种特殊需要的功能膜等，在促进电子电路小型化、功能高集成化方面发挥着关键的作用。 如今，包括薄膜材料与制备技术、薄膜沉积过程监测控制技术、薄膜检测技术与薄膜应用技术在内的薄膜技术，已经逐渐形成一个门类齐全的薄膜产业[1] 。 6.1 物理气相沉积 物理气相沉积是在真空条件下，利用蒸发、溅射之类的物理方法形成气态的原子、分子或离子，然后通过气相传输步骤，在适当温度的衬底上凝聚形成所需要的薄膜或涂层的过程[5]。 按镀层材料形成机理不同，物理气相沉积可分为真空蒸发镀、溅射镀和离子镀。 6.1.1 真空蒸发镀 所谓真空蒸发镀就是置待镀材料和被覆基板于真空室内，采用一定的方法加热待镀材料，使之蒸发或升华，然后以原子或分子状态直接飞行到被镀基板表面从而凝聚成膜的工艺[5]。（图6-1） （1）真空蒸发原理 真空蒸发镀膜过程分为三个阶段，即：待镀材料的蒸发、蒸发粒子的迁移和沉积[3]。 （ⅰ）蒸发过程 物质受热过程中其形态将会发生由固态—液态—气态的转变，由液态向气态的转变称为汽化。 饱和蒸汽压、蒸发温度（1.33Pa) 有些物质经加热后，可以不经液相直接由固相转变为气相，这一过程称为升华。如：SiO、kI、S、P、Zn、Mg等一类材料。 材料蒸发速率的表达式[3] Z = 3.513×1022 p· (M T)-1/2（分子数/cm2 ·s ) (ⅱ) 蒸发粒子的迁移[3] 分子的平均自由程： 当 p = 1.3×10-1 Pa 时，λ= 5cm p = 1.3 × 10-4 Pa 时，λ= 5000cm 碰撞率： Z1 / Z0 = 1- e-l/λ （图6-2） 为了减少残余气体及水汽的影响，提高膜层的纯度，一般采用下列措施[3]： (a) 烘烤。 (b) 对蒸发材料加热除气。 (c) 把真空度提高到1.3×10-4 Pa以上。 （ⅲ） 在基片上沉积成膜过程 到达基片上的凝结数 Zm = α ? Z α — 凝结系数 （与表面洁净度有关） 沉积过程分为：碰撞、扩散、形核、长 大、成膜[1]。 成膜机理[1] ： 核生长型、单层生长型和混 合生长型。（图6-3） 影响蒸镀过程的状态与参数[1] ： （a）真空度 （b）基体表面状态 （c）蒸发温度 （d）基体与蒸发源间的空间位置关系 （2）真空蒸镀方式和设备 （ⅰ）蒸发方式及蒸发源 蒸发源是用来使镀膜材料汽化的加热部件，真空蒸镀中采用的蒸发热源主要有：电阻加热、电子束加热、高频感应加热和激光加热。 （图6-4）[1]