材料合成与制备汇总.doc

一、简答 单晶材料：均一性.同质性.各向异性。 单晶材料的制备必须排除对材料性能有害的杂质原子和晶体缺陷。从熔体中结晶 ，当温度低于熔点时，晶体开始析出。低杂质含量、结晶完美的单晶材料多由熔体生长得到。 制备方法：①直拉法。垂直提拉法。特点是所生长的晶体的质量高，速度快。方法：熔体置于坩埚中，一块小单晶，称为籽晶，与拉杆相连，并被置于熔体的液面处。加热器使单晶炉内的温场保证坩埚以及熔体的温度保持在材料的熔点以上，籽晶的温度在熔点以下，而液体和籽晶的固液界面处的温度恰好是材料的熔点。随着拉杆的缓缓拉伸(典型速率约为每分钟几毫米)，熔体不断在固液界面处结晶，并保持了籽晶的结晶学取向。 ②坩埚下降法（定向凝固法）。基本原理使装有熔体的坩埚缓慢通过具有一定温度梯度的温场。 开始时整个物料都处于熔融状态，当坩埚下降通过熔点时，熔体结晶，随着坩埚的移动，固液界面不断沿着坩埚平移，直至熔体全部结晶。使用此方法，首先成核的是几个微晶，可使用籽晶控制晶体的生长。 ③区熔法。沿坩埚的温场有一个峰值，在这个峰值附近很小的范围内温度高于材料的熔点。这样的温场由环形加热器来实现。在多晶棒的一端放置籽晶，将籽晶附近原料熔化后，加热器向远离仔晶方向移动，熔体即在籽晶基础上结晶。加热器不断移动，将全部原料熔化、结晶，即完成晶体生长过程。 悬浮区熔法不用容器，污染较小，但不易得到大尺寸晶体。 利用溶质分凝原理，区熔